简介：叙述了CZTS基薄膜太阳能电池的研究现状,分析了熔盐法制备单晶颗粒的优势,对单晶颗粒薄膜太阳能电池的研究进行了综述,并对单晶颗粒薄膜太阳能电池的发展进行了展望.

简介：采用不同浓度的二水醋酸锌前驱体,用葡萄糖辅助的溶胶-凝胶法制备出了不同的氧化锌薄膜。氧化锌薄膜是由许多氧化锌颗粒组成的,并具有六方晶形的纤锌矿结构。样品与原子力探针的针尖之间的微摩擦力、黏着力和界面接触类型分别根据Amonton定律和Carpick过渡方程进行研究。结果表明,针尖与样品之间的作用(JKR/DMT)过渡模型。四个样品的微摩擦力在高的载荷和低的载荷下分别与外加载荷和黏附力呈线性关系。样品b由于具有最高的毛细作用力而呈现出最高的微摩擦系数。

简介：采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火（10-2Pa）、低真空退火（1Pa）和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明：四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.

简介：用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS／PS复合膜的光致发光性质．XRD结果表明，制备的ZnS薄膜沿G—ZnS（111）方向择优生长，结晶质量良好，但衍射峰的半峰全宽较大；SEM图像显示，ZnS薄膜表面出现一些凹坑，这是衬底PS的表面粗糙所致．室温下的光致发光谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰蓝移．把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合膜呈现较强的白光发射．

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：对Ag金属颗粒镶嵌在MgF2陶瓷基体中形成的金属陶瓷薄膜光学常数的尺度效应进行了研究。用修正的M-G（Maxwell-Gannett）理论对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜，在金属微粒体积百分比不同情况下光学常数的尺度效应进行了理论计算，并将理论计算结果与文献[1]的实验数据进行了比较，结果表明：金属微粒在低体积百分比（f1≤20％）情况下，所用修正M-G理论计算金属陶瓷薄膜所得的光学常数要比文献[1]所用的修正方法更符合实验数据。从而得到金属陶瓷薄膜光学常数微尺度效应的最佳修正因子，为实际研制开发新型薄膜材料提供科学的分析方法。

简介：本文用图示法直观地对薄膜上下表面二反射束间的额外程差问题进行了讨论.

简介：叙述了一种制备金属硫化物薄膜的新的光化学方法,并分析了该方法与传统化学方法制备金属硫化物薄膜之间的差别;根据影响光化学沉积的各种因素,对二元和多元金属硫化物薄膜的制备工艺研究进行了综述;对金属硫化物薄膜的光化学制备方法进行了展望.

简介：超分子科学是一门年轻的学科,她与生命科学、信息科学、材料科学和纳米科学相交叉形成了多学科群.本文通过跟踪高分子超薄膜的制备技术和高分子超薄膜自组织的研究最新发展,就高分子在超薄膜及界面上的超分子自组织的研究进展作一番梳理和论述.

简介：通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响．

简介：该实验采用简并四波混频法研究了MO／PVA（甲基橙染料掺杂聚乙烯醇）薄膜的三阶非线性光学特性．并将其作为研究性实验引入到近代物理实验教学中来．