简介：将FMCW技术应用于SAR系统中可得到质量轻、花费低、耗能低的高分辨率传感器。当发射信号受非线性影响时，这就限制了这种应用。混频后的差频信号不能重建目标距离信息。因为非线性通过不同频率扩散了目标能量，恶化了SNR和距离分辨率，尤其是当系统用于远距离应用时。针对FMCW信号的非线性影响，文中详细讨论了消除非线性影响的方法。该方法直接对去斜数据进行处理，计算简单。

简介：线性调频连续波合成孔径雷达（LFMCWSAR）是一种新近提出来的成像雷达体制，它结合调频连续波与合成孔径成像技术，具有体积小、重量轻、成本低、分辨率高等一系列优点。然而，由于受系统的影响，调频信号的频率和时间并不完全满足线性关系。在详细分析了LFMCW的调频非线性对距离分辨率及FMCWSAR成像质量的影响之后，提出使用分段线性拟合的方法估计调频信号的非线性，并提出了非线性的校正方法，研究了存在非线性时的FMCWSAR成像算法，并给出了仿真结果，验证了该方法的有效性。

简介：

简介：采用耦合模理论,推导了环型谐振器的传输函数,分析了环型腔内功率的谐振加强特性,并在推导的非线性环型谐振器开关曲线的具体表达式基础上,指出损耗和耦合系数对开关特性的影响,数值模拟了非线性环型谐振器对不同输入功率Gauss脉冲的开关特性.

简介：

简介：文章介绍了一种新型放大器--线性光放大器的产生的背景,工作原理,并通过与当前几种热门光放大器做比较,进一步说明它在下一代网络中的优势.

简介：文章重点介绍了内嵌于DDS的DAC线性参数的一种测试方法。该测试方法的优点是开发周期短、测试成本低、可在多种测试机台上实现。解决了DDS中不能对DAC输入端直接操作的难题，同时不影响其他参数的测试。文章基于LabView软件，使用示波器或NI板卡，结合其他仪器对DAC的静态参数进行了研究并试验。其中示波器或NI板卡完成信号采集，其他仪器完成芯片配置，微机对整个流程进行控制并将测试结果按序输出，实现测试自动化。通过试验证明该方法可行，测试效率高，测试结果达标并稳定。

简介：本文建立了光纤数据总线的模型，提出了一种光纤数据总线性能分析的方法，在模型中分别对信号模型、光纤模型和器件模型逐一进行了分析。

简介：针对线性非负约束的稀疏信号重建问题,提出了基于线性规划的求解方法,充分考虑到信号的各种结构.通过图像仿真试验对比了该方法与传统方法,试验表明该方法性能更佳,可广泛应用于图像降噪、图像去模糊和医疗成像等.

简介：针对LFM雷达，提出了一种截取叠加与移频调制相结合的密集假目标欺骗干扰实现新方法。相对于延时叠加方法，在相同转发时间和假目标间隔的条件下，产生的假目标能更靠近真实目标回波，同时增加了假目标的数量。结合移频调制可使假目标的位置发生变化，能获得更佳的遮盖干扰效果。分析了假目标功率损耗，通过仿真验证了该方法的有效性。

简介：为了解决基于用户服务质量约束的多用户多天线系统高能效线性预编码问题,根据分式规划性质提出了一种迭代优化算法,并利用凸优化方法对每次迭代中子问题进行求解,分别讨论了最大功率发送与非最大功率发送两种子问题求解情况。最后,仿真结果表明,该算法收敛性优,且在确保用户服务质量情况下可有效提高系统能效。

简介：<正>飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出RMPA2453型号RF功率放大器模块(PAM),适合频带为2.4～2.5GHz的高性能无线局域网(WLAN)应用。RMPA2453专为802.11b╱g应用而优化,具有领先的2.5%误差向量值(EVM)。此线性功率放大器的低功耗和卓越线性度是采用飞兆半导体专有InGaP异质结双极晶体管(HBT)技术的成果。高性能RMPA2453功率放大器的输入和输出端都提供50Ohm内部匹配,并配备有内设功率感应探测器以及两种省电工作模式。

简介：风廓线雷达大气湍流回波信号的识别常受到间歇性杂波的严重干扰。为了能够有效抑制并消除该类杂波,本文提出了基于线性时-频变换的间歇性杂波消除抑制算法。该算法采用具有线性时-频分布特性的短时傅里叶变换,获取雷达回波中杂波成分的调制频率参数,然后估计出相应分数阶傅里叶变换（FRFT）的最优阶数,最后再利用FRFT检测出杂波并对其抑制,通过信号重构回到时域,从而获取有效回波信号频谱。本文提出的方法与常规的FRFT最优阶数扫描法相比,将杂波检测二维搜索问题简化为一维峰值搜索问题,计算量大大降低。理论及计算机仿真表明,该方法效果明显,具有良好的工程应用前景。

简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

简介：<正>美国国家半导体公司近日宣布再度推出两款业内最低压降的CMOS双输入低压降(LDO)稳压器芯片。这一全新系列的低压降稳压器不但可以支持高效率的线性转换,而且无论在任何情况下都只耗用3mA的超低静态电流,最适用于低电压、高电流的应用方

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

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