简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:摘要集成电路产业是一个国家的命脉,与社会的发展、国家的安全有着极为密切的关系。就我国目前的IC制造技术来看,与国外先进技术尚且存在一定距离。因此,提高IC制造水平是当务之急,能为我国IC进军高水平精密制造创造条件。
简介:摘 要: IPD模式是以追求项目整体价值最大化为原则的一种全新交付方式,其集成思想包含对建筑系统的集成、对建筑过程的集成、对项目组织的集成和项目信息集成。其核心是团队组织的集成,而团队组织集成的核心是基于信任的共同协作。目前 IPD模式的实践应用还存在一些障碍,本文尝试对其内容和解决思路进行简单分析。