简介:摘要:半导体设备中精密机械设计在制造工艺中扮演着至关重要的角色。精密机械设计的优化能够显著提高设备的精度与稳定性,减少生产过程中的误差和缺陷,从而提升产品的整体质量与性能。通过对设计参数的精细调整、材料的科学选择以及制造工艺的改进,能够有效改善半导体设备的生产效率和可靠性。针对精密机械设计在实际应用中的挑战和优化策略,进行深入研究,提出了若干可行的改进措施,以推动半导体制造技术的发展和提升行业竞争力。
简介:摘要:半导体材料在光催化合成过氧化氢领域的研究进展,不仅体现了材料科学与环境工程的交叉融合,也展现了人类对清洁能源和高效化学合成方法的不懈追求。近年来,随着全球能源危机和环境污染问题的日益严峻,半导体材料光催化合成过氧化氢技术因其潜在的高效、环保特性而备受关注。例如,TiO2作为传统半导体材料,在紫外光照射下能够有效催化水分子产生过氧化氢,其转化效率和稳定性一直是研究的重点。根据最新的研究数据,通过掺杂和表面修饰等手段,TiO2的光催化效率可提升至原先的两倍以上,显著增强了其在实际应用中的可行性。此外,新型半导体材料如g-C3N4和BiVO4等的开发,为光催化合成过氧化氢提供了更多可能性。这些材料在可见光区域具有较高的光吸收能力,能够利用太阳光中的更广泛波段,从而进一步提高过氧化氢的合成效率。在这一领域,理论模型的建立和实验技术的创新共同推动了半导体材料光催化合成过氧化氢技术的快速发展。
简介:摘要:晶圆湿法清洗工艺是半导体制造中较为关键的一环,清洗后晶圆表面的洁净度取决于清洗设备的性能。湿法腐蚀清洗设备内部废气的排放对晶圆表面的洁净度、操作人员安全、设备安全及生产环境具有重要的影响。本文基于Fluent有限元数值分析平台,建立了设备内部排风的流体场数值分析模型,对其进行了瞬态流场流动分析;研究了排风区域宽度、排风孔长度、排风孔与槽体顶部高度差等因素对设备内部废气流动状态及槽体上方D点处的风速和风压的影响进行了分析,并优选出了最佳排风结构参数。本文可对全自动湿法腐蚀设备的排风分析提供扎实的理论依据。
简介:摘要50升溶剂混合物(25%PCE、25%TCE、25%1,1-二氯乙烯(1,1-DCE)和25%氯乙烯(VC)在位于浅层无承压含水层上方的一个地点发生泄漏。在泄漏后1个月、1年和5年的时间序列中,建立了模拟由此产生的羽流的扩散和迁移的平流-扩散模型。在对污染物的含水层条件和性质进行抽水试验和文献综述的基础上,建立了该模型的孔隙速度、延迟因子、扩散系数、羽流尺寸和最大浓度,假定污染物不发生变化,疏水分配吸附是控制相对溶解羽流迁移的关键因素。结果表明,1年后最大浓度Cmax比1个月后低150倍,5年后降低3000倍。然而,模型表明,4个月后的4种污染物的Cmax均超过了环境保护局(EPA)提出的饮用水标准的最大污染水平(MCL)100倍,而VC的Cmax在1年后超过了2倍。因此,污染需要进一步的衰减。纵向羽流分布表明,其相对迁移率顺序为VC>1,1-DCE>TCE>PCE,这与其相对疏水性基本一致(PCE>TCE>1,1-DCE>VC)。由此产生的羽流的平面图表明,疏水性较小的污染物由于分散而具有更强的扩散能力(VC>1,1-DCE>TCE>PCE)。由于我们简化了问题和所做的假设,这个模型的可预测性应该通过现场数据和实验室实验来进一步检验。