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  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:文章主要以堆芯测量系统为例,阐述了核电仪控设备国产化供应商在建立一化管理体系时的困难和需考虑的因素,以及一化管理体系对国产化进程的推进,并就体系建立的关键点进行了描述,可为同类型企业建立一化管理体系提供借鉴.

  • 标签: 堆芯测量系统(RIC) 核电仪控设备 国产化 一体化管理体系(IMS)