简介:实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.
简介:将有机材料PBD和Alq3交替生长,制备PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs)。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。从能带图可看出,类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构。利用小角X射线衍射(XRD)和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化,PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化,文中将给与讨论。
简介:一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管(OLED)。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度,对MPTMS/银的透光率(8nm)/MoO3(30nm)达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78?/□,与此相应的MPTMS/Ag(8nm)/MoO3(30nm)的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光(EL),最大电流效率达到4.5cd/A,最大亮度是37和036cd/m2。此外,通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压(2.6V)获得100cd/m2的亮度。我们认为,改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明,使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。