简介:研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响。结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55g/cm3降低到5.45g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8μm,击穿场强由7443V/cm显著降低至1064V/cm。经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21mA/cm2。当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237-0.5。因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发。
简介:利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%(质量分数)的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。
简介:采用中频感应熔炼技术制得了均匀、致密的耐高温冲蚀合金材料,并对其进行相应的热处理。运用扫描电子显微镜、X射线衍射仪等现代分析手段研究材料的微观结构,并进行硬度、高温磨损等性能测试。试验结果表明:耐热钢中加入适量稀土元素可以提高其抗氧化性能、硬度,细化了晶粒,进而改善材料的抗磨损性能;改进后的抗高温冲蚀材料的铸态组织为奥氏体+少量铁素体+一次碳化物;固溶态组织中,枝晶组织明显减轻,晶界原析出相呈断续链状,一次碳化物发生部分溶解;固溶+时效后的组织为奥氏体+少量铁素体+一次碳化物+二次碳化物。高温冲蚀磨损试验表明,材料的冲蚀磨损行为表现为塑性冲蚀磨损。9#材料抗高温冲蚀性能最理想。
简介:以维生素C为还原剂和覆盖剂,在水溶液中制备铜纳米颗粒,并研究其催化性能。研究不同维生素C浓度对铜纳米颗粒尺寸的影响。采用紫外-可见光分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜及傅里叶变换红外光谱计(FTIR)对所制备的铜纳米颗粒进行表征。结果表明,随着维生素C浓度的增加,铜纳米颗粒的尺寸减小。维生素C在防止纳米颗粒氧化和团聚过程中起重要作用,可帮助纳米颗粒在应用过程中保持较高的稳定性。所制备的铜纳米颗粒在PMS氧化丝氨酸过程中表现出优良的催化活性。铜纳米颗粒的催化活性随颗粒尺寸的减小而提高。铜纳米颗粒有望用于催化和环境修复领域并发挥重要作用。
简介:研究析出强化AW-6016-T4金属板材的低温成形行为。利用拉伸和Nakazima测试方法获得材料在-196至25°C范围内的流变曲线和成形极限曲线。结果表明,材料的强度和伸长率随温度的降低而增大。背散射电子衍射(EBSD)研究表明变形材料在室温和低温下显微组织有细微区别。但连续加热差热分析表明析出动力学之间无明显区别。本研究结果表明低温变形可用于制造8mm深的B柱,而常温变形只能制造6mm深的B柱。
简介:片状银粉是独石电容器、滤波器、碳膜电位器、钽电容器、薄膜开关、半导体芯片等电子元器件的主要电极材料,其颗粒度及分布、单片厚薄以及银粉纯度对以银粉为导电相的电子浆料和电子元器件的电性能影响很大[1-3].随着信息产业的发展,片状银粉和电子浆料的生产已经成为一个特定的工业行业.片状银粉的制备方法很多,通常是将适当的银盐用化学方法还原成超细银粉后,再用机械球磨的方法将球形颗粒用强力打压成片状.由于还原过程和球磨过程的可变因素很多,不同工艺、不同生产者、甚至同一工艺同一生产者生产的不同批次的片状银粉,在技术指标上也往往难以一致.目前有关片状银粉的研究主要集中于片状银粉颗粒大小、表面形貌和电性能上[4,5],对生产片状银粉过程中如何控制银粉纯度、降低生产成本和稳定片状银粉质量等方面研究较少.本文在实践基础上,提出一种以粗银作为原料生产高纯度片状银粉的新工艺,所得产品纯度很高,工艺稳定性好,生产成本可以明显降低,适用于中小企业生产.