简介：第五届国际光子与光电子学会议（InternationalPhotonicsandOptoElectronicsMeeting,POEM2012）于2012年11月1-2日在武汉光电国家实验室盛大召开。国际光子与光电子学会议是由武汉光电国家实验室发起的覆盖光电子领域的大规模、多学科、综合性、高水平国际会议。经过多年坚持不懈的努力，已经形成一个紧密依托“武汉·中国光谷”、汇集众多国内外知名专家、学者、学术机构和企业，集学术性和实用性于一体的高水平、高质量学术会议品牌。

简介：第四届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2005）已于2005年11月5日闭幕，这次盛会是OVCEXPO历史上规模最大、专业化程度最高、论坛质量最好的一次展会，在海内外取得了良好的口碑。四年的孕育再次证明，OVCEXPO的影响已从华人经济圈渗透到了全球经济圈，这更加坚实了OVCEXPO“追光”的脚步。在此我们诚挚邀请您在2006年11月2～5日参加第五届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2006），交流信息、增进合作、共谋发展。

简介：为了确定各红外热成像定量测量方法在深度定量测量方面的检测能力，对深度定量测量方法原理进行了分析，并进行了实验研究。通过在碳纤维层压板反面制作平底孔的方法制造已知深度分层缺陷，采用红外热成像方法对已知缺陷进行检测，从理论上分析温差峰值时间、对数温度偏离时间以及对数温度二阶微分峰值时间与缺陷深度的关系，通过分析确定温差峰值时间法、对数温度偏离时间法、对数温度二阶微分峰值时间法对深度进行定量测量方法的适用性，并利用上述方法对已知缺陷进行深度定量测量分析，确定不同方法对深度定量测量的检测适用性及检测能力。实验结果表明，温差峰值时间法测量深度达到2mm，对数温度偏离时间法测量深度达到4mm，对数温度二阶微分峰值时间法测量深度达到5mm，同时对数温度二阶微分峰值时间法受三维热扩散影响小，检测无需选择参考区域。因此，对数温差二阶微分法所能测量的缺陷深度最大，准确性更高。通过对不同方法进行应用分析，能够明确不同深度定量测量方法的适用范围与检测准确性，为主动式红外热成像方法的定量检测提供依据。