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11 个结果
  • 简介:镁合金系金属间化合物的强化机理主要有基体强化和晶界强化两种。目前在镁合金研究领域应用较为广泛的计算模拟方法有第一性原理方法、蒙特卡罗方法、分子动力学方法等,介绍了国内外计算模拟镁及镁合金微观组织结构的研究进展,探讨了镁合金模拟的发展方向。

  • 标签: 镁合金 金属间化合物 作用机理 电子结构 计算机模拟
  • 简介:电子熔炼(EBM)是一种快速制造工艺,它用逐层制造法制成密实度与锻造件完全相同的零件。在一层钛粉膜熔化并凝固后,下一层钛粉膜重复施行,直至整个零件制成。对于像宇航之类的工业部门,这一技术为制造钛零件样品及小批量产品提供了方便。

  • 标签: 电子束熔炼 熔炼技术 快速制造工艺 小批量产品 工业部门 零件
  • 简介:利用透射电镜中的电子柬对银(Ag)前驱体进行辐照,制备纳米Ag颗粒,分析结果表明,用化学还原法制得的Ag粒子的尺寸较大,约500nm,呈现多足结构的团聚状态,以化学还原法制得的Ag粒子作为前驱体,用电子柬辐照可得直径为2—50nm、外形圆形的纳米Ag颗粒,分散性好。

  • 标签: 纳米Ag粒子 电子柬辐照法 成核-生长机制
  • 简介:碳纳米管(CNTs)由于已被证实且有突出的力学性能,而成为具有潜力的复合材料增韧体。CNTs与聚合物间韵强界面粘接度也已由理论模拟和实验所证实。高粘接强度有利于强化CNTs对聚合物的作用,同时。聚合物也可用作粘接剂提高CNT微结构的力学性能。近日。清华大学以催化化学蒸汽沉积(CCVD)法合成了长线型双壁碳纳米管(DWNT)

  • 标签: 双壁碳纳米管 拉伸性能 环氧树脂 插层 CNTS 化学蒸汽沉积
  • 简介:利用反应性有机硅整理剂结合电子辐照加工技术提高纯棉织物的抗皱性能,以整理剂浓度、浸泡时间以及辐照剂量为因素进行正交试验,将织物的折皱回复角作为指标筛选出最佳工艺。结果表明,最佳工艺为:整理剂浓度160g/L,浸泡时间18h,辐射剂量43kGy,在该工艺参数下整理得到的纯棉织物的折皱回复角达到了175.6°,比原样增加了33.13%,接枝率为11.20%,白度下降到原样的88.24%,经纬向强力保留率分别为77.09%和84.27%,经过5次洗涤后织物的折皱回复角下降5.3%,耐洗性能较好。分析辐照前后织物的红外谱图以及扫描电镜图可知,有机硅与纤维素大分子链间发生反应,形成了稳固的交联结构,限制了大分子链的相对滑移,从而提高了纯棉织物的抗皱性能。

  • 标签: 棉织物 电子束辐照 有机硅 抗皱整理 交联
  • 简介:基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明,DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密,Fe是比较好的耐中子辐照材料。

  • 标签: Lindhard-Robinson模型 辐照损伤 DPA He产生
  • 简介:美国匹兹堡的Allegheny科技公司(ATI)收购了位于Billerica的动态流体计算软件集团。动态流体计算软件是采用准确的流体计算生产出一个薄壁的合金零件,例如,镍基合金和超合金,钛和钛合金,锆合金,以及不锈钢合金和特殊合金等。“我们己明确了动态流体软件产品的的今后发展方向,特别是将重点发展航空和石油、燃气市场。

  • 标签: 流体计算 计算软件 收购 美国 不锈钢合金 超合金
  • 简介:通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能,设计具有特定性能的新材料,甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函,使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后,依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

  • 标签: 第一性原理 立方氮化硼 密度泛函理论 CASTEP软件
  • 简介:利用热力学软件Thermal—Calc计算了Sanicro25耐热钢中的平衡态析出相,分析讨论了关键元素含量变化对析出相的影响规律。研究结果表明:增加钢中W、C含量可以升高M23C6的回溶温度以及增加M23C6的析出量,Cr、Co含量对M23C6的析出量没有明显影响;Cr含量越低,W含量越高,Laves相的回溶温度越高,析出量越大;Q、N含量越低,Nb含量越高,MX相的析出量越高;Nb含量越高,N含量越少,Z相的析出量越大;W、Cr含量越高,σ相析出量越大,回溶温度越高。

  • 标签: Sanicro25钢 M23C6相 LAVES相 MX相 Z相 Σ相
  • 简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。

  • 标签: 第一性原理 钙钛矿型钆铝酸盐 电子结构
  • 简介:使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理