简介:采用单辊法制备了宽20mm、厚25μm的Fe78Si9B13合金带材,用绕带机将其绕制成环型磁芯,然后将磁芯进行退火处理,结果表明,随着退火温度的升高,Fe78Si9B13非晶磁芯的初始磁导率m、饱磁感应强度Bs和矫顽力Hc呈先增大后减小的趋势,当退火温度达到450℃时,磁化曲线呈现出一定的线性关系,即恒导磁特性。将经4500(=/100min退火的Fe78Si9B13非晶磁芯用环氧树脂进行封装后,环氧封装后μi和Bs减小,而Hc和损耗Ps增大,磁化曲线和损耗曲线的形状与封装前相同。
简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。
简介:以水合氯化钌和乙醇钠为原料,首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化,以2:1的氮氧比为载气,在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌,证实了Ru02薄膜的晶体结构,晶粒尺寸为21.4nm。通过电化学测试,RuO2薄膜的容量可达0.818F/cm2(549F/g),充放电性能良好。经1000次循环测试,剩余容量仍然可达到初始容量的92.1%,同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗,有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。
简介:以两种Al2O3-Al2TiO5复合粉体为原料经SPS烧结制备出Al2O3-Al2TiO5复相陶瓷。采用纳米结构复合粉体烧结而成的复相陶瓷有着较优的力学性能,特别是具有较高的断裂韧性和硬度,与其较小的晶粒尺寸相对应。干滑动摩擦磨损试验在4N和6N法向载荷下进行,结果表明,采用微米结构复合粉体烧结而成的复相陶瓷磨损表面较光滑,体积磨损量较小。在磨损试验中,纳米结构复合粉体烧结而成的复相陶瓷的破坏方式为沿晶断裂,有明显的晶粒拔出现象;微米结构复合粉体烧结而成的复相陶瓷呈不连续的微观断裂并产生塑性变形;同时,两种材料在摩擦磨损过程中都发生接触面的氧化和物质转移。