简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

简介：TN305．72005032365硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabricationofsilicon-basedmicrostructuresandtheirapplicationinmi-crochipsE刊,中]／孙洋(清华大学深圳研究生院．广东,深圳(518057)),钱可元…∥半导体光电．-2004,25(6)．-477-479,483基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻

简介：条纹反射法是一种结构简单的三维面形检测手段,本文对该方法在智能手机、平板等移动设备中的集成和应用进行了研究。首先,对条纹反射法标定误差以及智能设备的特点进行了分析。然后,在分析实际检测中的关键误差基础上,提出了通过相机非线性定标、改善相移算法、格点位置标定、应对相机自动增益调整等一系列方法和算法,在设备现有硬件条件下提高了测量精度和稳定性;最后,使用iPadAir对直径为105mm的SiC反射面进行了实验。结果表明,标定精度在毫米量级时,对反射面的检测精度RMS值达到33μm,并且以低频误差为主,在局部高频区域检测结果有明显优势,证实了在不使用其他外部设备前提下,集成于智能平板的条纹反射法具备几十微米量级精度的检测能力。

简介：通用地面测控设备是一套能适用于同一类别、不同型号电子学系统的通用化测控设备。它首次实现了该类设备的通用化，可以替代8种原同类设备，且技术先进，使用方便，性能有显著提高。该设备以工业控制计算机为中心，配以经通用化设计的插卡和测控软件，实现了多种测控功能。设备结构框图如图1。

简介：城市生活垃圾袋装化已成为我国城市生活垃圾主要的收集方式，在垃圾处理过程中，根据选择性破碎的原理，开发、研制了破袋破碎分选机。其工作原理是：当袋装生活垃圾由进料口进入破袋破碎分选机内，经过低速破袋破碎辊筒的第一次破袋后，在袋内垃圾分散的同时进行选择性破碎，即对大块的有机物进行破碎，对大块、硬质无机物不进行破碎；高速破袋破碎辊筒将低速破袋破碎辊筒破袋不充分的垃圾袋再次进行破袋，同时再次对垃圾进行选择性破碎，使大块有机物得到充分破碎，有利于后续分选：两级避让装置和破袋破碎刀片的自我保护功能能够使大块、硬质无机物不被破碎而直接通过。拨料辊筒中伸缩运动的拨料棒将破袋后的塑料袋、柔韧性物料和大块无机物挑走。垃圾中的有机物和无机物由不同的出料口排出。

简介：中学新课程改革的实施要求高师院校要努力培养出创新型教师,从分析高师院校当前实验教学现状出发,提出以科研模式进行创新实验教学改革,加强科研仪器设备在实验教学的应用。实践表明,此举能有效提高学生的科研能力和创新能力。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：用法布里──珀罗干涉仪或标准具，可观察到钠光谱两条D线又各自分裂为两条谱线的超精细结构。我们用法布里──珀罗标准具和迈克尔逊干涉仅改装的法布里──珀罗干涉仪测量其裂距与文献记载相符。我们把它设为一个近代物理实验题目。

简介：

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。