简介：采用氧化锆做绝缘阴模材料，设计研制能对压制中的粉末施加冲击电流的模具。研究电容组在不同的充电电压下，对处于不同压制压力下的汽车带轮用粉末瞬时放电，当电能以冲击电流的形式通过后，可引起压坯密度的变化。实验结果表明，施加冲击电流后，压坯密度增加，充电电压越高或粉末压坯初始密度越低，冲击电流对压坯密度增长的贡献越大。冲击电流作用后压坯温度升高，直径发牛收缩，说明压坯密度增加是冲击电流的热效应与电磁效应共同作用的结果。

简介：粉末冶金钛合金具有优良的综合性能,逐步在汽车工业中得到了广泛的应用.简要介绍了粉末冶金钛合金在汽车零部件中的应用,并对其发展前途加以展望.

简介：通过对Fe-Ni及高比重合金的粉末注射成形的拉伸试样的研制,详细分析了MIM拉伸试样的收缩率的变化及影响因素,对收缩率的计算公式作了分析和推导,并指出了MIM模具型腔尺寸的设计原则,对拉伸试样的研制过程作了分析。

简介：采用钢纤维作增强纤维相、MoS2作润滑相，酚醛树脂为粘接相，并加入各种填料配制成一种树脂基半金属复合摩擦材料，将该材料与灰铸铁组成摩擦副，用D—MS定速摩擦试验机测定摩擦副在不同温度下的摩擦磨损性能，利用扫描电子显微镜（SEM）观察磨屑形貌，探讨该复合材料磨损的主要控制机制。结果表明，摩擦副的摩擦因数在0．35～0．40之间，比较稳定；低温磨损较小，但高温磨损较大且伴随有较强烈的振动和噪声。研究结果还表明：低温磨损主要由粘着磨损和磨粒磨损所控制，前者产生的磨屑颗粒较大，而后者的磨屑颗粒则很细小；中温、高温的磨损主要由有机物的热分解和摩擦表面膜的破裂、脱落所引起，磨屑多呈薄片状，MoS2的高温氧化可能是增大复合材料磨损的重要因素。

简介：陶瓷与金属连接具有重要的工程应用背景,然而却面临诸多技术难关,连接件的热应力缓解便是其中之一。本文作者采用弹性有限元方法,对采用不同材料作为中间层得到的实际连接尺寸的SiC陶瓷与Ni基高温合金连接件的应力进行计算,并结合各种材料的塑性对连接件的应力进行定性分析。计算结果表明,SiC陶瓷与Ni基高温合金直接连接产生的热应力很大。最大轴向拉应力位于陶瓷近缝区,导致连接件强度偏低或断裂。采用功能梯度中间层或软金属中间层能在一定程度上缓解热应力;硬金属中间层虽然不能缓解应力,但能改善应力分布状态,使最大轴向拉应力迁移出比较薄弱的陶瓷一侧,有利于连接强度的提高;采用软、硬金属复合中间层具有较好的缓解应力和改善应力分布的效果,但却较多地增加了连接件的界面,有可能导致负面效应,在实际工程应用中需要根据具体情况,权衡利弊,综合考虑。

简介：用粒度为63μm和14μm的SiC粉末为原料,在注射温度和注射压力分别为160℃和70MPa、粉末装载量（体积分数）为63%的条件下,获得SiCp注射坯,经过溶剂脱脂和真空热脱脂以及1100℃/7h的真空预烧结后,在1000℃、N2气氛下进行Al合金熔渗,制备高体积分数63%SiCp/Al复合材料电子封装壳体。研究表明,熔渗组织均匀、致密,SiC颗粒均匀分布在Al基体中。熔渗时需要严格控制熔渗时间,熔渗时间超过10min后会导致坯体被Al合金熔体过度熔渗,从而在复合材料表面产生Al合金层,时间越长,Al层厚度逐渐增加。最终制得的高体积分数63%SiCp/Al复合材料封装壳体的尺寸精度优于0.3%,其热物理性能优异,热膨胀系数和热导率分别为7.2×10-6K-1和180W/m·K,密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装材料性能的要求。

简介：利用WC，Co，（Ti,W）C，Ti（C,N）等原料粉末，采用1步烧结法制备脱β层梯度硬质合金，利用扫描电镜观察合金表层的微观组织结构，采用电子探针微区分析技术（electronprobemicroanalysis,EPMA）定性分析合金表层的金属元素W、Ti、Co及轻元素C、N的分布规律，采用EPMA定量技术分析金属元素尤其是Co的复杂分布规律，并对其形成机制进行深入讨论。定性分析结果表明：脱β层内W元素的含量稍高于合金芯部的平均W含量；所有含Ti相均已完全脱除；脱β层不仅是缺立方相层，同时也是富Co层；脱β层中C元素的含量略有下降；N元素含量并不为零，某些区域甚至高于芯部。定量分析结果表明：脱β层中Ti元素含量基本为零，但在界面靠近芯部一侧Ti元素含量明显高于芯部的平均值；从合金表层至芯部依次存在低钴层、高钴层及贫钴层3个钴含量不同的区域。合金整个表层钴含量的复杂分布情况是由钴原子的空位扩散机制与液相迁移机制联合形成的。

简介：以Ti-Al的3个化合物相（Ti3Al、TiAl和TiAl3）及Ti3Al8Mn为对象,采用密度泛函的赝势平面波法,在优化驰豫的基础上计算其电子结构和弹性模量,系统分析成分对各相电子结构的变化及脆性的影响。结果表明：Al含量逐步增多导致Al2p—Ti3d成键并抑制Ti—Ti键,使共价键以及成键的各向异性增强,因而使合金脆性增大;Mn替代Al位掺杂后,可减少Al—Al共价键,抑制Al2p—Ti3d成键并增强Mn与Ti的3d电子层杂化程度,降低由Al—Al共价键和Al2p—Ti3d杂化键形成所带来的键的空间各向异性和高位错能垒,进而改善合金的室温脆性。