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  • 简介:<正>艺精YZB-600Ⅰ自动大功率曝光机近两年已有几十台推向用户,为了使设备能在行业中特别是各个用户手里充分发挥作用,保证设备的高效产出,现特介绍设备常用的保养方法,供用户参考。1要科学的使用设备任何设备及电器产品,不正当的操作必将加快功能的失效。曝光机也不例外。在使用设备前一定要仔细的阅读《使用说明书》,工艺人员更应探索一条高效使用设备的工艺操作方法,即保证工艺操作的正确性,又能不损伤设备的

  • 标签: 大功率曝光机 艺精YZB-600I 维护
  • 简介:介绍一种适合多种模拟信号输入的LonWorks智能节点,详细说明该节点的硬件设计和软件设计方法,它具有测量回路多,成本低,组网方便等特点。

  • 标签: 总线 智能节点 控制模块 集成电路
  • 简介:“双元制”是一种校企合作的职业院校的办学制度,由企业和职业院校共同担负培养高技能人才的任务。结合湖南邮电职业技术学院与中兴通讯NC学院合作办学的移动通信技术专业建设的实践,阐述了高职院校“双师”教师队伍建设存在的问题,提出了“双元制”校企合作机制下双师教师队伍建设采取的措施,并进一步分析了师资团队建设仍需注意的问题。

  • 标签: 高职院校 双元制 师资团队
  • 简介:网络基础设施产业是一种需要固定网络来传输产品和服务的基础设施产业,包括电信、电力、自来水、煤气和铁路等。这些产业的改革和重组是理论界一直关注的热点问题之一。而起源于欧美的网络性公共基础设施产业的改革也成为全球化趋势。改革的路径有多种,但网络基础设施产业改革的起点基本都是垄断,除了个别情况之外,主要实施的是国家经营体制。与全球网络公共基础设施产业的改革一样,我国网络基础设施产业的改革也逐步推进。尤其是作为垄断性产业代表的电信、电力等更是走在改革的前列。而推进供水、供气等城市公用事业的市场化进程更是体制改革的重要组成部分。

  • 标签: 公共基础设施 产业改革 网络型 电信业 比较研究 全球化趋势
  • 简介:<正>日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片及芯片碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

  • 标签: 器件模型 模组 碳化硅材料 电力电子电路 市场领先者 硅器件
  • 简介:12013年全球智能手机销售情况2014年2月14日,全球技术研究和咨询公司Gartner最新公布,2013年全球智能手机终端销售量总计为9.68亿支,较2012年显著增长42.3%(见表1).2013年智能手机占整体手机销售量的53.6%,首度超越功能手机全年总销量.表12013年全球智能手机终端销售置(单位:千支)2013年第四季度,智能手机销售量增长36%,且占第四季度整体手机销售量的57.6%,较上年同期的44%有显著增长(见表2).智能手机销售量比重的提升主要来自拉丁美洲、中东与非洲、亚太地区及东欧市场的成长,上述地区智能手机销售量在第四季度的成长均超过50%.2013年第四季度印度智能手机销量强劲增长166.8%,成为Gartner追踪的国家中智能手机销售量成长幅度最大的;拉丁美洲则成为第四季度成长最快的区域(96.1%).中国对全球智能手机销售量也有显著贡献,2013年的销售量增长86.3%.

  • 标签: 智能手机 销售量 功能型 GARTNER 手机终端 拉丁美洲
  • 简介:随着英语教学改革的深入以及大学生入学英语水平的提高,大学英语教学不能只停留在基础英语的教学上,其后续教学越来越受到各界的关注.由于种种原因,我校的大学英语后续教学并未纳入正规教学.虽然有了一些尝试——作为素质拓展课供学生选修,但其教学效果并不十分理想.为了解决这个问题我们提出了“以学生需求为导向,以内容为依托”的大学英语后续课程教学模式.

  • 标签: 综合型高校 大学英语 后续课程 课程设置
  • 简介:分析了一种基于现场可编程逻辑器件(FPGA)的谐振逆变器控制电路,在FPGA芯片上实现了自采样比例积分(PI)控制全数字锁相环(ADPLL)的设计,由于采用了自采样比例积分的策略,使锁相环在不同的锁频点具有几乎相同的形式的传递函数,有利于理论分析和环路设计、理论分析、仿真验证和试验结果都表明该逆变器控制电路具有环路参数设计简单、频率跟踪范围广、跟踪速度快、系统稳定性好、控制灵活等优点。

  • 标签: FPGA芯片 控制电路 逆变器 谐振型 现场可编程逻辑器件 全数字锁相环
  • 简介:反向阻断IGBT(RB-IGBT)是一种具备承受正反向电压能力的新型器件,以它为基础,本文研究了一种4kW,可控相移全桥零电流关断(ZCS)DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断IGBT器件和这种功率变换器的理论分析,如工作阶段分析和零电流关断的条件,随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。

  • 标签: DC/DC功率变换器 IGBT器件 反向电压 ZCS 阻断 DC/DC功率变换器
  • 简介:(中国无锡2010年2月2日)无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPTIGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会,无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

  • 标签: 科技成果鉴定会 高电流密度 IGBT NPT型 无锡市 芯片
  • 简介:本文研究了基于空间电压矢量的三相电压PWM整流器的控制系统,在Simulink下建立其仿真模型,仿真结果表明该策略具有优良的稳态性能和快速的动态响应。

  • 标签: 空间电压矢量 PWM整流器 仿真
  • 简介:由于消费者对轻薄手机的需求非常强劲,全球第三个最大的手机制造商三星电子公司调高了今年手机的销售预期。公司预期今年它的手机发货量将达到1.26亿部。先前公司曾预期今年手机的发货量为1.15亿部。新的销售预期提高了10%。

  • 标签: 三星电子公司 手机制造商 轻薄型 消费者 销售 调高
  • 简介:随着科技的发展,广播设备不断更新,MD录音机以其体积小、重量轻、携带方便、存储量大、存储介质寿命长、编辑功能强大、音质好等优点,已逐渐成为广播领域外出录音和节目编辑的主用设备之一。

  • 标签: SONY公司 MDS-B5型MD录音机 广播节目 MD随身听 ATRAC技术
  • 简介:<正>Diodes推出低压1MH-z升压直流-直流转换器PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0

  • 标签: 升压型 DIODES MHZ PAM2401 备用电池 便携式产品
  • 简介:2013年刚刚过去,各家研究调查机构已陆续预估手机、平板、PC的出货量与销售表现,同时估算2014年的出货/销售的消长幅度。PC产品的市场表现仍然受到平板与智能手机的挤堰,

  • 标签: 智能型手机 东南亚国家 空间 PC产品 调查机构 平板
  • 简介:声雷达作为一种有效的风电场测风手段,具有安全性高、建设、使用、维护简单、成本低等优点。本文简要介绍了国内外声雷达在风电领域的应用情况,分析了声雷达和超声波测风仪的测风原理,根据两种仪器测风原理的不同,提出了一种精度比对方法,在总装31试验基地开展了比对试验,试验数据表明WFMS-200声雷达测风性能满足风电场测风要求。

  • 标签: 声雷达 测风塔 超声波测风仪 风电场 同步比对
  • 简介:文章以学科竞赛活动为依托,浅谈了学科竞赛在计算机类应用人才培养中的地位,构建了创新创业培养平台,对应用人才培养模式进行了探讨。

  • 标签: 学科竞赛 应用型人才培养 实践能力 平台
  • 简介:<正>该产品具有四大特点:一是成分中不含磷;二是不含荧光增白剂及一切有害物质;三是使用时省水,将清洗片放入1公斤水中速溶即可清洗一件织物;四是片剂体积小,可直接打在织

  • 标签: 绒思娜 清洗片 性能指标 固体洗涤剂
  • 简介:根据战略性新兴信息产业的特点,着重体现实训基地建设的校企共建、工学结合特色,探索对接战略性新兴信息产业的共享实训基地建设模式和指导性规范,按照企业实际工作流程和专业技能标准组织实训教学,推行项目化实训,全面引入企业参与实训基地建设、经营和管理,拓展新技术和高技能培训,推动培训业务创新转型,促进教育链与产业链的有效衔接,提升共享实训基地的社会效益和经济效益。

  • 标签: 共享型实训基地 战略性新兴产业 范例研究
  • 简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

  • 标签: 绝缘体上硅 部分耗尽 低频噪声 离子注入