简介:<正>艺精YZB-600Ⅰ型自动大功率曝光机近两年已有几十台推向用户,为了使设备能在行业中特别是各个用户手里充分发挥作用,保证设备的高效产出,现特介绍设备常用的保养方法,供用户参考。1要科学的使用设备任何设备及电器产品,不正当的操作必将加快功能的失效。曝光机也不例外。在使用设备前一定要仔细的阅读《使用说明书》,工艺人员更应探索一条高效使用设备的工艺操作方法,即保证工艺操作的正确性,又能不损伤设备的
简介:网络型基础设施产业是一种需要固定网络来传输产品和服务的基础设施产业,包括电信、电力、自来水、煤气和铁路等。这些产业的改革和重组是理论界一直关注的热点问题之一。而起源于欧美的网络性公共基础设施产业的改革也成为全球化趋势。改革的路径有多种,但网络型基础设施产业改革的起点基本都是垄断,除了个别情况之外,主要实施的是国家经营体制。与全球网络型公共基础设施产业的改革一样,我国网络型基础设施产业的改革也逐步推进。尤其是作为垄断性产业代表的电信、电力等更是走在改革的前列。而推进供水、供气等城市公用事业的市场化进程更是体制改革的重要组成部分。
简介:12013年全球智能手机销售情况2014年2月14日,全球技术研究和咨询公司Gartner最新公布,2013年全球智能手机终端销售量总计为9.68亿支,较2012年显著增长42.3%(见表1).2013年智能手机占整体手机销售量的53.6%,首度超越功能型手机全年总销量.表12013年全球智能手机终端销售置(单位:千支)2013年第四季度,智能手机销售量增长36%,且占第四季度整体手机销售量的57.6%,较上年同期的44%有显著增长(见表2).智能手机销售量比重的提升主要来自拉丁美洲、中东与非洲、亚太地区及东欧市场的成长,上述地区智能手机销售量在第四季度的成长均超过50%.2013年第四季度印度智能手机销量强劲增长166.8%,成为Gartner追踪的国家中智能手机销售量成长幅度最大的;拉丁美洲则成为第四季度成长最快的区域(96.1%).中国对全球智能手机销售量也有显著贡献,2013年的销售量增长86.3%.
简介:反向阻断型IGBT(RB-IGBT)是一种具备承受正反向电压能力的新型器件,以它为基础,本文研究了一种4kW,可控相移全桥零电流关断(ZCS)DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析,如工作阶段分析和零电流关断的条件,随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。
简介:随着科技的发展,广播设备不断更新,MD录音机以其体积小、重量轻、携带方便、存储量大、存储介质寿命长、编辑功能强大、音质好等优点,已逐渐成为广播领域外出录音和节目编辑的主用设备之一。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。