简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：

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简介：21世纪是光的时代,光电子器件及技术快速发展,在我们身边无处不在。对比微电子器件在信息处理上的应用,我们不由得要思考为何要用光电子器件,将光电子器件用在何处,以及如何用光电子器件这几个问题。高速半导体激光器作为光通信系统中具有代表性的器件之一,在光通信和微波光子技术等领域中发挥着越来越重要的作用。系统介绍了高速直接调制激光器的基本概念,高速激光器的应用领域与分类,并讨论高速激光器面临的技术挑战与发展趋势。

简介：阐述了半导体热电致冷器（TEC）的基本工作原理,分析了TEC线性驱动和PWM驱动的原理以及采用PWM驱动的优点,介绍了PID温度补偿控制的原理,并设计了实验.采用相同的测试条件,对MAX1978、ADN8830和线性功率管进行了性能测试,实验数据表明温度控制电路采用PWM驱动功耗更小,全温（-40～60℃）控制效果更好.

简介：首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构，特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器，其在超过40Gb／s的速率下展现出偏振不敏感特性；新型基于量子点的垂直腔结构的光开关，其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。

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