简介：采用化学气相沉积（CVD）法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si（111）衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：针对光栅光调制器阵列的显示控制,提出了一种控制系统设计方案。设计应用软件,产生显示数据源,由USB数据线发送到FPGA芯片,在FPGA芯片上实现格式转换、乒乓操作、脉宽调制等模块电路。实验结果表明,该控制系统操作灵活方便,为测试光栅光调制器的显示参数提供了有力的技术支持。

简介：采用电化学阳极氧化法在HF酸水溶液中使纯钛表面生成结构致密有序的TiO2纳米管阵列薄膜，考察了阳极氧化电压和阳极氧化时间对Ti02纳米管阵列形貌的影响，讨论了TiO2纳米管的形成机理。采用复阻抗谱方法，测量了获得的TiO2纳米管阵列薄膜在不同湿度下的电阻一电抗曲线和相位角一频率曲线，由此分析得到，试样的等效电路由2个RC并联回路串联而成，并拟合出等效电路各元件的参数值，说明TiO2纳米管阵列薄膜表面对湿度变化有较好的响应。

简介：介绍了在多孔氧化铝模板(AAM)中沉积Zn阵列后将其加热氧化，得到单晶六角纤锌矿结构的ZnO／AAM纳米线有序阵列体系。研究了不同的氧化温度对Zn向ZnO转化和ZnO纳米阵列光致发光性能的影响。