简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：介绍LZ4123和LZ2981集成电路的工作原理及其在摩托车点火器中的应用，并给出应用的电路图。

简介：遵照党中央、国务院关于对符合国家职业标准规定条件的后备高技能人才，应及时提供技能鉴定服务；对在岗工作多年的后备高技能人才，应及时提供技能鉴定服务；对在岗工作多年并具有相应技能水平和实践经验的在职职工，要普遍开展技能评价认定。专业技术人员和生产管理人员等有意愿参加考核鉴定的其他各类人才，要同等提供评价服务。

简介：遵照党中央和国务院，面向在职职工开展普遍的、持续的文化教育和技术培训，加快培养高级工和技师的指示，经国家信息产业部电子行业职业技能鉴定指导中心批准，信息产业部珠三角电子行业职业技能鉴定培训中心，于2006年12月19日至21日、24日分别在广东中山兴达电路板集团公司、中国电子工程设计院深圳分院举办了第六期印制电路新工艺技术培训和职业技能资格认证工作。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

简介：11月1日,2016第十八届中国国际工业博览会在上海国家会展中心盛大开幕。台达作为华人自动化领军企业,围绕＂智能制造畅享未来＂的主题,携旗下工业自动化、智能楼宇、电能质量、智能绿生活等四大领域解决方案亮相。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

简介：目标任务2006年至2010年五年内在电子信息产业培养合格的技师、高级技师15000人，培养合格高级技工10万人，培养各级技能型人才35万人，建立一批电子信息产业实训基地。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。