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基于GaN器件的无桥PFC电路研究

作者：李祥生
学科：电气工程 > 电力系统及自动化
创建时间：2017-06-16
出处：《电力设备》 2017年第6期
机构：（深圳职业技术学院机电学院广东深圳518055）

简介：摘要本文对比分析了GaN器件，CoolMOS和SiC二极管的开关损耗，并将图腾PFC和市场主流的H桥PFC进行对比研究。通过两台实验样机研究了GaN器件直接替换CoolMOS后的效率改善，也对比了两种拓扑都使用GaN器件的效率差异，对现有GaN器件的整体性能进行了评估。最后，都使用工频整流对两种PFC拓扑的效率提升空间进行了探索。
标签： GaN，图腾，H桥，PFC，反向恢复，开关损耗，效率

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