简介:目的:探讨金沉积基底烤瓷冠应用于前牙的临床修复效果。方法:制作金沉积基底烤瓷冠、铸造金铂合金基底烤瓷冠与铸造镍铬合金基底烤瓷冠各50件,并观察三者戴入时及戴入烤瓷冠36个月后的冠边缘的密合度、冠的折裂、折断情况、颜色及牙龈边缘染色等。结果:金沉积基底烤瓷冠与铸造金铂合金基底烤瓷的边缘密合度无差异,均明显优于铸造镍铬合金基底烤瓷冠(P〈0.001);三者在强度方面无显著性差异;金沉积基底烤瓷冠与铸造金铂合金基底烤瓷冠的颜色基本相似,均较镍铬合金烤瓷冠更接近于天然牙(P〈0.005);而金沉积基底烤瓷冠和铸造金铂合金基底烤瓷冠均未出现如铸造镍铬合金基底烤瓷冠的牙龈边缘染色现象。结论:金沉积基底烤瓷冠有良好的边缘密合度、抗折强度以及良好的颜色表现力,且无牙龈边缘染色现象,具有良好的临床疗效。
简介:摘要随着电子封装技术不断发展,用于封装的各种焊接材料越来越受到重视。常用焊接材料有PbSn、AgSn、AgSnCu、SnZn、AuSn、AuGe等。Pb对环境及人体健康有重大危害,PbSn焊料的应用不断受到限制甚至禁止。无铅焊料AgSn、AgSnCu、SnZn等虽然应用广泛,但焊接可靠性较差,高可靠性要求的电子产品(如航天航空及光电子产品)的封装明确禁用。金与锡可形成多种物相,如Au10Sn(熔点532℃)、Au5Sn(熔点190℃)、AuSn(熔点419.3℃)、AuSn2(309℃)、AuSn4(257℃)。Au5Sn和AuSn两相混合、Au与Sn质量比80∶20,此时焊料熔点278℃,具有优异的电学、机械、物理、化学性能,具有熔化流动性好、焊接过热小、凝固快、稳定性高、屈服强度高、气密性好、热导率高、抗蠕变性能好、抗疲劳性能优良、抗氧化性能好、抗腐蚀性能好、导电性能好、无需助焊剂、焊接后免清洗等优点,是一种优良的焊接材料;被广泛应用于通讯、卫星、遥感、雷达、汽车电子、航空等领域及光电器件的焊接、封装。常用金锡共晶焊料为焊丝、焊片等。使用时将焊丝或焊片剪成所需形状,放置在要焊接的部位,操作非常麻烦、效率低。
简介:摘要目的探讨VitapanClsaaical、Vitapan3D-Master与SHOFUNCC比色板在前牙金沉积冠修复中的比色效果,以指导临床工作。方法采用修复前比色,修复体制作完成后口腔外。内核对颜色的方法。对比三种比色板的比色效果。结果修复体制作完成后,在口腔内、外核对颜色时,使用Vitapan3D-Master比色板和SHOFUNCC比色板的满意度均高于VitapanClsaaical经典比色板(P<0.05),而Vitapan3D-Master比色板和SHOFUNCC比色板之间无显著性差异(P>0.05)。结论在前牙冠修复中,配合金沉积冠使用,Vitapan3D-Master比色板和SHOFUNCC比色板颜色范围较宽,临床比色可以取得较好的效果。
简介:AdhesionimprovementofCVDdiamondfilimbyintroducinganelectro-depositedinterlayer;Agitation:themostversatiledegreeoffreedomforsurfacefinishers;Developmentofhydroxyapatitecoatingonporoustitaniumviaelectro-depositiontechnique;EffectofintensemagneticfieldonCdTeelectro-deposition;ElectrodepositionofMetallicLithiumonaTungstenElectrodein1-Butyl-l-methylpyrrolidiniumBis(tritluoromethanesulfone)imideRoom-temperatureMoltenSalt
简介:[篇名]Bi-2212:AnHTSCoatedConductor,[篇名]Carbonnanotube-perovskite-compositesasnewelectrodematerial,[篇名]CeO{sub}2bufferlayerbypulsedlaserdepositionforYBCOcoatedconductor,[篇名]CeO{sub)2BufferLayersDepositedbyPulsedLaserDepositionforTFA-MODYBa{sub}2Cu{sub}3O{sub)(7-x)SuperconductingTape,[篇名]Characteristicofthin-filmNTCthermalSensors,[篇名]Characteristicsofcobalt-dopedzincoxidethinfilmspreparedbypulsedlaserdeposition,[篇名]CharacteristicsofTiO{sub}2ThinFilmasaPhotocatalystPrepardUsing-thePulsedLaserDepositionMethod.
简介:Co-dopingDepositionofp-typeZnOThinFilmsusingKrFExcimerLaserAblation;ComparisonofGrowthMorphologyinGe(001)HomoepitaxyUsingPulsedLaserDepositionandMBE;CompositionandstructureofBCNfilmspreparedbyionbeam-assistedpulsedlaserdeposition;Compositionofβ-FeSi{sub}2thin-filmsgrownbyapulsedlaserdepositionmethod
简介:[篇名]Electro-depositionoftantalumontumgstenandnickelinLiF-NaF-CaF{sub}2meltcontainingK{sub}2TaF{sub}7electrochemicalstudy,[篇名]Electro-EpitaxialBufferLaycrsforREBCOTspeArchitectures,[篇名]EQCMwithair-gapexcitationelectrode.Calibrationtestswithcopperandoxygencoatings,[篇名]FormationofWell-definedNanocolumnsbyIonTrackingLithography,[篇名]Fundamentalexperimentalstudyonfreefabricationofnanocrystallinecopperbulkbyselectiveelectrodepositionwithelectrolytejet,[篇名]Magneticnanowirearraysobtainedbyelectro-depositioninorderedaluminatemplates,[篇名]Morphologicalcharacteristicsofnickelparticleselectrodepositedfromchloridedominantsolution.