简介：摘要：随着时代的发展，光纤通信芯片技术也随着科学技术的高速发展已经取得了新的研究成果，同时这种技术的产生为后期我国的通信技术发展也带来了福音。为此要想加快内部管理工作落实，分析当前光纤通信芯片的实际工作特性，作为研究管理人员就应当在现有的技术手段下，对光纤通信芯片的实际工艺进行综合的分析观察探究，以更好地判断光纤通信芯片生产工艺的实际特点。但是在当前的研究分析过程中，由于受到市场环境、外部技术手段等多方面因素的影响，光纤通信芯片的工艺仍旧存在多方面的影响。为此本文结合国内外对于光纤通信芯片的最新研究动态分析，判断芯片设计过程的实际工作流程，最终对超高压电路中的各种器件进行分析比较，以此探究光纤通信芯片的实际工艺特性，为后期的光纤通信芯片技术创新奠定坚实的基础。

简介：摘要：随着国际社会对环保、节能的大力畅导，发展绿色照明设备，已经成为未来的电子元器件发展的重要趋势。LED以其热量低、亮度高、寿命长、零污染、可回收等无可比拟的优点，已经成为全球瞩目的新一代光源，LED光源也被称为最有发展前景的绿色光源。因此，加强LED芯片制造工艺的探讨具有重要意义。LED是发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的缩写，又称发光二极管，是由美国无线电公司的鲁宾·布朗斯坦(Rubin Braunstein)发现的。它的发光原理是在电子和空穴之间，通过加压，电子从一个空穴跳到另一个空穴，而另一个空穴能承受的能量较少，多余的能量以光的形式出来，这就是能量转换的原理。电子从高能级跃迁到低能级，多余的能量以光的形式发射出去。

简介：摘要：随着全球信息化和网络化的进步，芯片在其中的角色和功能愈加显著。作为芯片开发的核心技术，集成电路设计与制造具有战略、基础和引领作用，同时也反映了一个国家的科技水平和产业竞争力。鉴于此，本篇论文将从集成电路芯片的定义出发，重点探讨和研究集成电路芯片的制造工艺和技术，并对其未来发展做出展望，以促进我国芯片制造产业的可持续发展，并提供有价值的参考。

简介：摘要：芯片在各个领域都得到了广泛应用，与国防科技、航空航天、化工、机械电子等都密切相关，同时其代表着一个国家的科技科研实力。而要想促进芯片行业的发展，就必须从集成电路芯片制造工艺技术入手，不断提高芯片制造水平和质量。因此文章就对集成电路芯片制造的工艺过程以及相关技术进行了分析，以供参考。

简介：摘要：纵观现代信息技术社会，发展的核心依然是现代微电子科学技术，而硅0.5导体材料依然是现代微电子科学技术的主导。大口径硅单晶片的制造是进一步提高集成电路整合度的基石，怎样有效控制它们的点缺口和二次缺口仍将面对重大技术挑战。超大规模集成电路的生产科学技术是一种发展的科技，唯有把握最前沿的科技才能在国际竞争中占有国际市场。但是由于一些材料的缺乏,新器件设计技术原理和新的0.5导体先进工艺的发展仍在探索阶段，集成电路的制造技术水平还将继续向新的高度攀升。

简介：摘要：纵观现代信息技术社会，发展的核心依然是现代微电子科学技术，而硅0.5导体材料依然是现代微电子科学技术的主导。大口径硅单晶片的制造是进一步提高集成电路整合度的基石，怎样有效控制它们的点缺口和二次缺口仍将面对重大技术挑战。超大规模集成电路的生产科学技术是一种发展的科技，唯有把握最前沿的科技才能在国际竞争中占有国际市场。但是由于一些材料的缺乏,新器件设计技术原理和新的0.5导体先进工艺的发展仍在探索阶段，集成电路的制造技术水平还将继续向新的高度攀升。

简介：摘要：在现代的嵌入式集成电路制造中，键合工艺技术已作为封装中的一个关键步骤被普遍关注，而随着国际黄金价格的日益上涨，新型材料及键合线的发展也已日益引起了各大生产商及其终端顾客的兴趣。关于新型材料键合线上的工艺窗口的研究，直接关系到新型键合材料在具体实际产品中发挥的作用，对于新型材料的评估和选择以及确保在实际应用中的安全性和可靠性，也是各生产商集中关注的问题。

简介：为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性，在芯片安装后，通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而，仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点，人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。

简介：摘要：UVC-LED222nm深紫守护光源芯片是一款我们设计的金字塔图形化衬底，打破原有平行基底，使外延结构生长，有源区间隙扩大并调节，发出222nm波长深紫外线，杀菌率高达99.99%。衬底上方，引入梯度分量的量子势垒，将原有一层势垒增加至三层，减少电子泄漏量，使光电转化率提高至32.5%，利用N型环绕电极，增加电极接触面积，使光输出率增加41%，产热值降低至40摄氏度，从而延长使用寿命，依托学校国家级实验中心，进行芯片性能验证。

简介：摘要：随着我国武器装备自主可控要求的不断推进，电子产品国产化器件的比例越来越高，在这些国产元器件中，出于可焊性和防腐蚀的要求，多数的国产器件的引脚均要求涂镀厚度为1. 3 ～ 5.7μm 的金镀层。然而，镀金的引脚在焊接前若不去除金层，会使金在焊接过程中熔入焊点形成脆性的金属间化合物，短期内焊点功能正常，长时间使用之后焊点容易从脆性的金属间化合物界面开始出现裂纹并最终开裂失效，出现焊点金脆现象，最终影响产品实物质量。本文介绍了几种常见的去金方式，分析了各自的优缺点。并通过选取典型封装（QFP100）芯片，分别从工艺流程制定、夹具设计、工艺参数选择、去金结果分析四个方面重点研究波峰去金方式。

简介：我忽然产生了一种想要了解自己外在形象的冲动。在公元2200年,这个想法简直有点不切实际——存活了千年的镜子已经被淘汰了——谁还愿意把自己抽离虚拟世界来照一下镜子呢?

简介：倒装芯片在电子封装互连中占有越来越多的份额，是一种必然的发展趋势，所以对倒装芯片技术的研究变得非常重要。倒装芯片凸点的形成是其工艺过程的关键。现有的凸点制作方法主要有蒸镀焊料凸点、电镀凸点、微球装配方法、焊料转送、在没有UBM的铅焊盘上做金球凸点、使用金做晶片上的凸点、使用镍一金做晶片的凸点等。每种方法都各有其优缺点，适用于不同的工艺要求。介绍了芯片倒装焊基本的焊球类型、制作方法及各自的特点，总结了凸点制作应注意的问题。

简介：摘要以0.25微米6英寸MOSFET芯片前工序加工和芯片封装的减薄、划片工序为背景，介绍集成电路的生产工艺及公用工程特点，旨在为类似厂房的建设及其公用工程提供实践经验。

简介：AS5045是一款由奥地利微芯公司开发的高度集成12位数字输出型霍尔电路芯片，以其为核心，再配合微型AlNico稀土磁铁可设计出利用霍尔效应进行非接触式测量用的角度传感器。这种传感器的制造工艺主要包括信号处理电路及其接口电路工艺、转轴制造工艺及外壳制造工艺等，通过工艺改进可进一步提高传感器产品的使用性能。

简介：摘要：在微电子封装高速发展的今天，轻、薄、短、小是目前电子封装技术发展的趋势，互连焊点的可靠性研究对微电子封装与组装技术具有重要的意义。而焊点的形态是影响可靠性的重要因素，通过改变焊点形态可以显著提高其可靠性。基于此，本文主要对倒装芯片封装工艺中焊点可靠性进行分析探讨。

简介：

简介：

简介：

简介：IBM发表了新型绝缘体材料配方，号称能有效提升先进工艺芯片性能与良率。IBM近日在美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会（InternationalReliabilitvPhysicsSymposium，IRPS）上发表了新型绝缘体。

简介：摘要：高功率逆变器是电动汽车电机驱动系统中的关键核心部件之一，传统的逆变器芯片与基板的连接工艺难以满足汽车对热冲击、热压力等可靠性的要求。为保证汽车电机驱动系统的正常稳定运行，铜柱封装技术被应用于高功率逆变器芯片与基本的连接。至今，工业上铜柱封装工艺存在铜柱共面性低的问题。本文针对行业这一瓶颈性问题展开研究，提出实现优质铜柱电镀的工艺方案。研究发现，辅助阴极是提高铜柱共面性的关键途径，此方法有助于提高逆变器性能和可靠性。