简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：美国斯坦福大学科学家发明了一种纳米线制作的新型锂电池，这种电池比传统充电电池的储电量提高了10倍。其技术的关键在于提高电池阳极的储电量。当电池充电时，带正电的锂离子将吸附住电流中的电子，并移动到阳极。当电池放电时，锂离子放出原来吸附的电子，放出电能，并通过导电胶回到阴极。传统电池的阳极由非常薄的碳原子层组成，而储存一个锂离子需要六个碳原子。

简介：

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：摘要：氮化镓（GaN）材料因具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。本文在对氮化镓半导体现有主要应用领域进行分析的基础上，针对国内市场现状和产业布局进行讨论，并提出氮化镓（GaN）半导体国内从业企业的发展态势及突破方向。

简介：摘要

简介：摘要：

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：随着对能源需求的不断增加，可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视，光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年，具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注，由于其独特的电子传输和光吸收特性，这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：据物理学家组织网1月28日报道,最近,由麻省理工大学研究会公司和哈佛大学科学家与工程师组成的一个跨学科研究小组合作,用“自下而上”的方法将极微细的纳米线晶体管进行复杂的组装,制造出一种超小、超低能耗的控制处理器,在制造超小电子计算机系统上迈出了关键一步,同时也将逼近的“摩尔法则”大限远远推开.相关论文发表在1月底的美国《国家科学院院刊》上.

简介：采用连续介质理论与分子动力学模拟相结合的方法,研究了氧化锌纳米线的振动问题.建立了氧化锌纳米线核壳模型,解释其等效杨氏模量及压电常数的尺寸效应.通过连续介质理论求得氧化锌纳米线振动固有频率,并与分子动力学模拟得到的结果进行对比.研究表明,氧化锌纳米线在极化方向的等效拉伸杨氏模量随着横截面尺寸的增加而逐渐增大,且通过核壳模型分别求得核、壳拉伸杨氏模量.拟合得到的等效拉伸杨氏模量与分子动力学方法获得的等效拉伸杨氏模量符合得很好.根据连续介质理论得到等效弯曲杨氏模量,发现等效弯曲杨氏模量也随着横截面尺寸的增加而增大.氧化锌纳米线极化方向的压电耦合能力比一般压电陶瓷好,压电常数随着横截面尺寸的增加逐渐减小.氧化锌纳米线在不同温度条件下的振动频率没有明显变化,在不同外电场条件下的振动频率有显著变化.分子动力学模拟得到不同横截面尺寸的氧化锌纳米线振动频率不同.根据连续介质理论,求得悬臂Timoshenko梁模型相应尺寸的振动频率,发现横截面的尺寸越大,连续介质理论与分子动力学模拟得到的振动频率越接近.

简介：摘要：纳米银线透明导电薄膜具有优异的光学透过性和导电性能，是最有可能替代ITO的材料。本文简要地叙述了纳米银线的生长机理，着重介绍了近年来纳米银线的激光束焊接、化学焊接、电阻焊接及冷焊等焊接工艺现状，并对纳米银线透明导电薄膜的应用前景进行了展望。

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目”氮化镓基激光器”获得重大突破．在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的多量子阱增益波导结构，激射波长为410nm，条宽5μm，条长800μm，激射阈值50KA/cm2．

简介：<正>近日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。