简介:新近推出的一款高强度放电(HID)灯用电子镇流器控制集成电路(IRS2573D),其特点是具有使用方便、控制功能和保护功能齐伞,文中介绍了采用IRS2573D的70W/HID灯电子镇流器演示板IRPLHID2/DEMO的技术特点、工作原理与实现途径。
简介:摘要: 随着集成电路的飞速发展,摩尔定律已经接近极限,尤其针对于大型的SOC(System on Chip)芯片以及ASIC(Application specific Integrated circuit)升级迭代开发,再加上fab厂纳米工艺很难突破,所以应该在fabless设计端进行技术设计创新。对于大规模集成电路,要求通信速率非常高。相对于串行通信,并行传输技术具备设计简单,无需额外Serdes模块进行转换以及协议解析等优点。同时在芯片外围设计,具备高比特位、低比特位互换方便PCB布线,无需像差分走线需要严格的控制对内等长约束(约5-20mil)。并行传输在PCB设计上仅仅需要参考Clk时钟做各bit位等长即可。本文结合目前的状况,分析了微电子集成电路在计算机并行控制技术中的实现途径,希望能在该领域有所借鉴。
简介:<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong(TriQuintSemiconductor,USA)//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连(3MI)0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2(2.8×2.2mm),32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达
简介:摘要:看现代信息技术社会,发展的核心还是现代微电子科技,0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石,如何有效控制其差异点,二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术,只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是,由于缺少一些材料,新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中,集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验,本次主要针对集成电路制造工艺探析,展开深入论述,所得文献与同行业人员共享,望对行业的前进起到一定的促进作用。