简介：过去多年以来，在减少氟化物的排放方面，半导体业行业一直处于领先地位。在气相沉积反应器清洗上，人们研究了许多替代性的的气体和工艺方法，但是，由于这些原料供应短缺，或者需要用高压钢瓶运输，或者有造成显著的温室效应的可能，所以这些方法都不是很理想。

简介：

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简介：AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts

简介：SY509-3-196[篇名]Anovelstrainedsurface-channelpMOSFETSi{sub}0.7Ge{sub}0.3withanALDTiN/AI{sub}20{sub}3/HfAIO{sub}x/AI{sub}20{sub}3gatestack；SY509-3-197[篇名]Aquantitativestudyofthenano-scratchbehaviorofboronandcarbonnitridefilms；……

简介：[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.

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简介：摘要 ：化学气相沉积法（ CVD ）制备石墨烯广泛应用于工业生产中，但转移薄膜的过程会造成石墨烯污染，对石墨烯性能产生影响。基于此，本文先分析了污染物对石墨烯薄膜造成的影响，然后简单介绍了污染物，最后提出了提高石墨烯洁净度的技术。以期不断提高石墨烯洁净度，提高其质量和性能。

简介：采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition，简称CVD）不仅可以制备金属粉末，也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料，通过化学气相反应合成所需粉末，因其制备的粉末纯度高，比表面积大，结晶度高，粒径分布均匀、可控，在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同，CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等，用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点，选择合适的气源，开发更为安全、环保的生产工艺，以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。

简介：介绍了在模具表面上气相沉积涂层的方法，分析了物理气相沉积和化学气相沉积的工艺特点及应用，指出模具表面气相沉积技术的发展方向。

简介：随着集成电路中时钟速度和布线密度的增加,由于功率损耗和带宽限制,通过传统电线的芯片间和芯片内互连遇到越来越多的困难。光互连已被提议作为铜基互连的替代品,并且由于其具备大数据容量,高数据质量和低功耗等特点而被深入研究。Ⅲ-Ⅴ化合物半导体具有电子迁移率高、有效电子质量低和直接带隙的特点,这使得该材料系统对于高速光电子器件极其有利。在硅衬底上集成Ⅲ-Ⅴ光电子器件将提供硅基电子电路高集成度和大批量生产的综合优势,Ⅲ-Ⅴ器件卓越的电气和光学性能,为新一代混合集成电路的应用铺平道路。

简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：以ＴｉＣ１４为源物质采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率，进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现，在不同气流量、沉积温度为１００～２５０℃的条件下制备的ＴｉＯ２膜，其折射率在２．１６～２．８２范围内，消光系数在０．０４×１０－３～６．７０×１０－３范围内，光学带隙能在２．８～３．０８ｅＶ范围内。在光催化作用下，ＴｉＯ２膜用于处理苯酚溶液，苯酚的转化率高达５４．０５％。关键词##4化学气相沉积（ＣＶＤ）;沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原

简介：美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术，可用于制造一种新型玻璃，其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下，一块玻璃突然冷却，其中分子无法自由运动，从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

简介：摘要院钻探机具，要带有最优的耐磨特性，以及最优的耐蚀特性；在苛刻的态势下，也应妥善运转。钻探机具固有的表面性能，涵盖了配件的耐磨特性。载能粒子惯常的沉积状态，关涉着摩擦薄膜特有的构架问题。要提升配件原有的耐磨特性，就应提高机具表层硬度，用气相沉积技术，接纳复合架构下的、多层级高结合力的层积思路，制备出硬度较高的表层。这样制备好的润滑薄膜，带有独特构架及特有的性能，能提快原有的钻探速率，供应可用的新技术。

简介：静压法合成的单晶人造金刚石和人造金刚石微粉，就品种，技术条件，包装，杂质检验，抗压强度测定方法，粒度组成等有关问题，已经建立了国家标准。化学气相沉积法制取的金刚石膜因出现的时间短还未建立起有关标准。化学气相沉积金刚石膜的方法有热丝法，微波法和直流电弧等离子体喷射法三类，本文就直流电弧等离子体喷射化学气相沉积的自支撑人造金刚石膜标准的制定中应考虑到的一些问题提出了我们的看法。

简介：摘要：科技的发展，推进了工业生产，各类复合材料相继出现，为各行各业生产经营提供了有效支持。本文主要讲述了化学液气相沉积机理，并概括性总结了当前国内外此工艺的研究进展。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。