学科分类
/ 1
6 个结果
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:以埃松后处理厂为例,从工艺流程特点、安全重要物项、废物管理量、辐射防护要求及职业照射剂量、临界安全控制、设备性能、保护系统设计、事故特点等方面,简单地比较了后处理厂与核电厂、其它核工厂及普通化工厂在安全方面的异同,初步归纳了后处理厂的安全特点.

  • 标签: 埃克松后处理厂 核电厂 安全特点
  • 简介:本文通过比较两个不同晶体生长历史的温梯法Al2O3晶体,通过同步辐射衍射形貌相研究了晶体内部的完整性,在正常晶体生长条件下Al2O3晶体的FWHM仅为10弧秒,而在正常晶体生长受到间停电破坏时,Al2O3晶体内易出现晶粒等缺陷。其内在原因与温梯法晶体生长工艺有关系。

  • 标签: 亚晶粒结构 同步辐射 Al2O3晶体 FWHM 衍射形貌相 X射线衍射
  • 简介:用同步辐射光电子谱详细研究了Cu(111)面上超薄Pb膜随厚度与退火的反应。发现室温下Cu(111)面上单层Pb以二维密积岛的形式生长。退火至200℃形成Pb-Cu表面合金。这种表面合金只发生在Cu(111)面的最外的一个原子层。作为在单晶Cu(111)表面诱使薄膜层状生长的活化剂,Pb的表面合金化可能会对它的活化作用产生不利影响。

  • 标签: 光电子谱 表面合金化 表面亚单层铅膜 铅铜合金 层状生长
  • 简介:从事故发生的背景与年表、IAEA访问任务与结果、放射源回收前的评估与准备工作、回收操作、经验反馈、生物学剂量测定等方面对2001年格鲁吉90Sr放射性同位素热源(RHS)辐射事故进行了详细介绍。格鲁吉亚90Sr辐射事故的实践证明,放射性同位素热电发生器(RTG)缺乏有效监管,未能及时把长期闲置的RTG拆除并将RHS安全送贮,擅自遗弃,是事故发生的原因;在格鲁吉亚当局有关部门和地方组织的支持下,在辐射防护专业知识和实践经验相结合的国际援助下,对受照者的医疗救治、放射源回收的准备工作和实践操作是合适、充分、有保障的。将为辐射事故应急提供经验和参考。

  • 标签: 90Sr 辐射事故 放射源 放射性同位素热源(RHS) 放射性同位素热电发生器(RTG)