简介:TQ174.758.2396032015掺杂Cr2+和Nd3+玻璃陶瓷的光谱特性=SpectroscopiccharacteristicsofCrandNddopedglass-ceramics[刊,中]/端木庆铎,苏春辉(长春光机学院材料工程系.吉林,长春(130022))//功能材料.-1995,26(1).-48-51根据分相成核原理,通过一步热处理过程,制备了双掺杂B2O2-Al2O3-SiO2系统透明玻璃陶瓷。XRD分析确定主晶相为莫来石固溶体;分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命,分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点。图5表1参7(赵桂云)TQ325.796032016光学塑料的性能评价、应用及改性研究=Propertyevaluations,applicationsandmodificationstudiesofopticalplastics[刊,中]/杨柏,高长有,沈家骢(吉林大学化学系.吉林,长春(130023))//功能
简介:采用传热学的相关理论,对稳态法测量导热系数实验过程中下铜板的散热速率进行了计算,并与实测结果进行对比分析。
简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。
简介:为了研究弹体以低于400m·s^-1的侵彻速度侵彻陶瓷混凝土复合靶体时,侵彻深度与侵彻速度及材料参数之间的关系,利用Forrestal空腔膨胀理论和弹体侵彻混凝土靶体的经验公式,在弹体对靶体的不同侵彻状态下,计算了弹体受到的侵彻阻力。依据牛顿第二运动定律,建立了弹体低速撞击陶瓷混凝土靶体的侵彻深度计算模型,并将理论计算的侵彻深度与已有试验数据进行了比对分析,结果表明两者间的相对偏差较小,证明了该理论计算模型及其计算结果具有可靠性。
简介:采用熔融片制样用X射线荧光光谱法对陶瓷、色料和釉物料中Na,Mg,A1,Si,P,S,K,Ca,Ti,Mn,Fe,Ba,Zr,Zn,Hf15种元素进行了测定,用理论α系数校正基体效应.方法简便、快速、分析结果的准确度完全能满足上述物料分析的要求.还用纯化学试剂和标准样品按一定比例混合制备标准样品,弥补了色料和釉缺少标准或没有标样的困难.又对Zr和Hf元素分析线进行了选择,用ZrLα和HfLβ1作为分析线,而不采用ZrKα,不仅使制备的熔片达到ZrLα线的饱和厚度,使分析结果的准确度和重现性好,而且还消除了ZrKα的谱线对HfLβ1分析线的干扰.
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。