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  • 简介:运用模糊数学模型和食品安全指数IFS模型进行安全风险评估.对深圳市新鲜蔬菜批发市场、农贸市场、超市及零售店等常规渠道与其他输入渠道进行模糊评价,得出食品安全风险等级.构建了蔬菜安全风险评估层次结构模型,评估出深圳市新鲜蔬菜安全风险较高。对已有的抽样方案进行改进,设计了两套深圳市新鲜蔬菜抽样检验方案.分别适用于深圳市所有的蔬菜交易市场和销售蔬菜的超市、零售店以及蔬菜产地、蔬菜加工厂的样本抽取及实验室试样的制备。

  • 标签: 风险评估 抽样方案设计 模糊综合评判方法 食品安全指数 层次分析法
  • 简介:利用4.5MeV的氪离子(Kr^17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^12~3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinaloptical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

  • 标签: GAAS 拉曼光谱 辐照效应 晶体结构
  • 简介:建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linearenergytransfer,LET)的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

  • 标签: 90nm SRAM 单粒子多位翻转 阱电势扰动 寄生双极放大