简介：利用同步辐射对天然金刚石晶体进行了形貌学研究，在近完事晶体内观察到晶体以平行{100}生长为主的正常生长，而不是前人所常见的平行{111}生长。生长带方向平行于（100）、（100）和（010）、（010）。生长带分布在偏离晶体中心的曲面内。由生长带的分布与形态可以观察到晶体不同晶面的生长速度具有明显差异。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：采用等离子体预处理技术和优化的金刚石薄膜沉积工艺，以期为金刚石薄膜涂层工具的制备开发一种新的实用易行的表面预处理方法。等离子体预处理和金刚石薄膜沉积都在自行研制的热丝CVD系统中进行的。等离子体预处理是在脱炭气氛中进行，基体温度控制在硬质合金的再结晶温度范围内，处理总时间为2h。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：金刚石（110）表面具有不同方向上抛光速率的强烈不对称的特征,用第一性原理全能量平面波赝势方法模拟研究了类金刚石薄膜表面的结合强度与摩擦性能,确定了相互作用模型以及排斥力作用范围,研究了范德华排斥力在摩擦表面上的分布,研究结果表明,摩擦表层感受到的力在〈001〉和〈110〉2个方向上表现明显不同,而且〈110〉方向上摩擦力一直高于〈001〉方向上的摩擦力.

简介：理论设计了由6位单羟丙基α（β）-环糊精（Cyclodextrin,HPCD）与氧化石墨烯（GrapheneOxide,GO）共价键连接形成的复合主体化合物（GO-HPCD）.结合量子化学计算（QM）和分子动力学模拟（MD）,系统研究了该复合主体对金刚烷（Adamantane,AD）的超分子包合行为,并与HPCD对AD的包合进行了比较研究.对研究的结果从构型、热力学性质、径向分布函数（RadialDistributionFunction,RDF）等方面进行了全面分析.在气相条件下,B3LYP/6-31G（d,p）计算结果显示,4种主体对金刚烷的相互作用均较弱;HPαCD和GOHPαCD与金刚烷的MD模拟与QM结果一致,而HPβCD和GO-HPβCD能与金刚烷形成稳定的包合物.在水溶剂中,4种主体均能与金刚烷形成包合物,HPβCD和GO-HPβCD与金刚烷的包合物稳定性明显高于HPαCD和GO-HPαCD的包合物.氧化石墨烯片段的引入未改变环糊精与金刚烷的包合本质,但起到了辅助捕获客体分子的作用.

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.