简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：四氯化硅是西门子法多晶硅生产中副产物,其循环使用是长期制约我国多晶硅低成本生产的关键因素,但其氢化条件苛刻,温度在520~580℃,压力2.5~3.8MPa,临氢,循环生产周期短,需3个月~6个月检修和更换,生产效率低下,其更换更带来大量的三废排放,给环境带来污染。在我国,如何高效、稳定运行多晶硅循环生产的多晶硅冷氢化装置。

简介：本文详细介绍了一种新的组合治理V0CS治理方案：通过分子筛过滤吸附一真空解析一金属膜分离的联合工艺来处理包装印刷行业的VOCS，可以低成本、高效率地回收挥发性化学溶剂，回收后的溶剂品质好，易于纯化，不产生二次污染，在相同条件下耗能可以低70％以上，回收利用率90％以上。