简介:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
简介:1适用范围1.1本规程涉及用萤光紫外一冷凝型曝晒仪模拟由阳光和雨、露引起的劣化的基本原则和操作过程。1.2本规程限于获取、测量和控制曝晒的条件和过程的方法,并未规定最适合待测材料的曝晒条件。试样制备和结果的评价,包括在特定材料的ASTM试验方法或规范中。1.3以国际单位表明的数值视为标准。1.4本标准可能涉及危险物质、操作及设备。本标准没有说明所有有关使用的安全问题。本标准的使用者有责任在使用前建立适宜的安全卫生规程及确定规章适用范围。2参考标准2.IASTM标准:E220采用比较技术的热电偶标定方法。G7非金属材料的大气环境曝晒试验现程2.ZCIE标准第20号用于性能测定的模拟太阳辐射的集中