简介:主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。
简介:中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学研究组在有序介孔材料制备及其应用研究方面取得了一系列新进展。研究人员以具有立方介孔结构的二氧化硅(KIT_6)为模板,利用纳米浸渍技术制备出了高度有序的具有三维立方结构的介孔碳(CMK一8),并首次将这种立方介孔碳作为超级电容器的电极材料。电化学测试表明,所得CMK一8碳材料在2MKOH电解液中具有较高的比电容值(176F/g);经硝酸处理后,其电容值可进一步提高~U247F/g,经2000次循环后,其容量仍可达185F/g,表明该材料作为超级电容器电极材料具有潜在的应用价值。