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电气工程
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8英寸直拉单晶硅微缺陷的研究

作者：李亚哲
学科：电气工程 > 电力系统及自动化
创建时间：2017-12-22
出处：《电力设备》 2017年第24期
机构：（环鑫科技发展有限公司天津市300384）

简介：摘要在单晶硅的生长过程中，通过调整单晶生长的V/G比值，控制单晶微缺陷的分布。
标签：单晶硅微缺陷缺陷控制铜坠饰

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