简介:首先,使用新型压缩感知框架对图像进行基于小波的轮廓波变换(WBCT);然后,采用部分傅里叶矩阵随机观测子空间系数;最后,结合软阈值贪婪方向追踪(SGDP)算法完成图像重构。试验结果表明,与传统的稀疏梯度投影(GPSR)算法相比,基于软阈值贪婪方向追踪的图像重构法在恢复图像低频信息的同时保留了高频信息,尤其对于含噪图像重构,可使重构图像峰值信噪比(PSNR)值提高约2dB。
简介:三面角反射体是一种重要的无源对抗器材,高效、准确、快速地预估其雷达散射截面积(RadarCrossSection,RCS)具有重要意义。以方形三面角反射体为例,推导了利用改进的几何光学/区域投影法(GeometricalOptics/AreaProjection,GO/AP)进行RCS预估的一般流程;基于该流程对方形、圆形三面角反射体的单站RCS进行预估,将预估结果与RCS最大值的经验公式以及FEKO软件的仿真结果进行对比,表明改进的GO/AP法具有正确性、快速性和广泛适应性;针对异型三面角反射体,提出一种基于GO/AP算法利用SolidWorks软件进行RCS快速预估的方法。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:2012年随着迈克·华莱士的离世,一个电视直播时代最辉煌的巨星陨落,一个时代也就此终结了。不知道,一直以“有质量的新闻”为信仰的他,如果有幸见证如今网络直播的火热会作何感想?其实这场娱人娱己的网络�