简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：近年来,随着国家对新型能源的投入,风力发电以其无污染、清洁环保受到了广泛的推崇。本文结合内蒙古中旗一大型风电场1：5000地形测绘,就RTK技术在大型风电场地形测绘中的具体应用提出一些观点,总结出利用南方灵锐S86进行导航、七参数校正等一些便于提高大型风电场地形测绘效率的一系列手段。

简介：声雷达作为一种有效的风电场测风手段,具有安全性高、建设、使用、维护简单、成本低等优点。本文简要介绍了国内外声雷达在风电领域的应用情况,分析了声雷达和超声波测风仪的测风原理,根据两种仪器测风原理的不同,提出了一种精度比对方法,在总装31试验基地开展了比对试验,试验数据表明WFMS-200型声雷达测风性能满足风电场测风要求。

简介：<正>2015年1月28日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻—NGR系列器件。MilwaukeeResistors(VishayDaleResistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成,安装在耐用、耐候,具有极高电压隔离的IP23外壳里,具有高线路中性点和系统电压,工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案,可为Y形(星形)配置的发电

简介：金风科技与鉴衡认证中心近日就风电专业领域的标准化项目签署合作协议。作为金风科技“未来风电场”计划中的一部分，双方合作将突破风电行业发展的固有模式，推动行业整体创新性发展。所谓“未来风电场”是指高效、智能、健康、友好的精益化风电场。与传统风电场不同，“未来风电场”将有更高标准，具有6大特点，即设计柔性、专属定制、产品智能、少人值守、收益稳定、环境友好。

简介：随着产业界要求产品越来越小，越来越轻，运行速度越来越快，对0201元件的使用逐年增加：十个0201元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此，可以把部件组装得更紧密，从而减小PCB板的尺寸。采用0201元件遇到的主要问题是：随着元件尺寸的减小，工艺窗口也减小了，与1206元件相比，0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍，而与0402元件相比，则共可能性要比0402元件大2点5倍。因此，在表面组装0201元件时，要更多注意设计和工艺。总的来说，现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷冬数，贴装参装．回流参数)乏北影响缺陷数量：部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境)，但是总的来说，静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中，优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论丈中集中了研究十的数据和对元件组装时进行的多次评估户搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数，然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力，印刷速度，模板擦拭频率，及回流焊气体，回流曲线和回流曲线上升速度等?从这些研究十可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证叫能使DPL小于200。

简介：随着产业界要求产品越来越小，越来越轻，运行速度越来越快，对020l元件的使用逐年增加。十个020l元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此，可以把部件组装得更紧密，从而减小PCB板的尺寸。采用020l元件遇到的主要问题是：随着元件尺寸的减小，工艺窗口也减小了。与1206元件相比，0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍，而与0402元件相比，则其可能性要比0402元件大2点5倍。因此，在表面组装020l元件时，要更多注意设计和工艺。总的来说，现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷参数，贴装参数，回流参数)更能影响缺陷数量。部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境)，但是总的来说，静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中，优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论文中集中了研究中的数据和对元件组装时进行的多次评估中搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数，然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力，印刷速度，模板擦拭频率，及回流焊气体，回流曲线和回流曲线上升速度等。从这些研究中可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证明能使DPM小于200。

简介：雷达在跟踪海面（地面）低空目标时，由于受到多路径反射效应的影响，由目标反射的直接回波和经由海面（地面）反射的反射回波同存在于一个接收天线波束宽度内，从而产生“角闪烁”效应。该文利用直接回波和反射回波之间的多路径时间差与目标高度之间的关系，提出了一种基于目标高分辨一维距离像的测高方法，即通过对高分辨一维距离像进行自相关获得多路径时延差进而估计低空目标的高度。为了提高时域分辨率，避免“栅栏效应”，文中又采用逆Chirp—z变换方法，通过对频域接收信号进行密集采样插值，提高时域目标高分辨一维距离像的分辨能力并改善雷达测高性能。仿真结果验证了本方法的有效性。

简介：功控电路又称自动功率控制电路(APC)，以克服移动通讯中远端对近端的干扰。它和功放单元密不可分，根据功放输出大小自动调节电路增益，形成功率放大控制环路，其基本控制结构包括取样、整流、滤波、比较器等元件。在日常维修中笔者发现，在不更换射频IC、功控集成块的前提下，通过对取样电阻、功控电阻阻值的代换，可对发射关机、发射难等常见故障进行应急维修。下面具体分析这种应急代换维修法，希望与广大维修爱好者共同交流。

简介：概伦电子科技有限公司宣布中芯国际集成电路制造有限公司已在其先进工艺制程开发流程中采用概伦电子NanoYieldTM高良率解决方案。概伦电子作为SPICE模型解决方案的全球领导厂商及业界领先的良率导向设计（DFY）技术供应商，于2012年推出NanoYield--专为存储器、逻辑和模拟电路设计所研发的快速而精准的良率预测和优化软件。

简介：本文首先介绍了高带宽梯度折射率塑料光纤的制造方法和性能;其次阐述了在高带宽梯度折射率塑料光纤上进行的单信道和多信道的数据传输试验.

简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：目前市场上越来越多的客户要求进行低电阻高绝缘的电子测试,这类PCB中,部分PCB线路不单是导线同时还是信号线,线路的阻值变化会造成信号的延滞和衰减,引发功能性问题。本文主要介绍了孔电阻的测试原理,通过对影响孔阻值变化的因素进行分析验证,并逐个分析论证,最终定位问题根源之所在。

简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：用多个分布式小卫星构成星座,可以完成多项雷达探测任务,如地面动目标检测(GMTI)、地面高程测量等,其探测性能可比单个卫星明显提高.分布式小卫星也可用来提高SAR的横向分辨率,主要是解决高横向分辨率与宽测绘带的矛盾.小卫星用横向孔径小的天线(为提高横向分辨率)和较低的重复频率(为加宽测绘带),其回波信号会产生多普勒模糊,但多个小卫星的空间自由度可用来解模糊,从而可以实现宽域(宽观测条带)和高方位分辨率SAR成像.本文对分布式卫星解多普勒模糊的方法进行了讨论,并提出了对卫星星座构形的要求.如果星座构形已定,则应微调脉冲重复频率以满足解多普勒模糊的要求.

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：提出一种新的IGBT闭环变电阻驱动策略来增强开环变电阻策略的实用性,并改善开通/关断特性。该策略通过检测IGBT集电极电流变化率（di/dt）与电压变化率（dv/dt）,对正常开通/关断过程中门极电阻的切换进行闭环控制,在保证IGBT安全工作、防止产生较大电磁干扰的前提下,加快IGBT开关速度并减小开关损耗。最后通过仿真验证了该策略的可行性。

简介：

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。