简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:摘要本文通过对彝族烟盒舞活态传承的方式进行研究,全面、细致地分析了彝族烟盒舞的风格特征、舞蹈动作以及表演道具都极富地域特色的原始色彩。指出,蕴含着彝族民族性格与民族气质,同时也是彝族民族精神与民族情感的一种表现,不仅具有其本身的民俗色彩和地方特色,更融入了其它民族舞中的精华及养分,凝聚着彝族人民丰富的想象力和创造力,成为广大人民群众喜闻乐见、心灵相通的民间表演艺术形式。彝族烟盒舞的活态传承对于促进其在艺术遗产保护领域、传统文化发展领域和舞蹈艺术的研究领域都具有重要的文化价值和作用。呼吁我们不断地开阔对彝族烟盒舞的发展方式,对其做好进行全方位和多层次的保护工作,使我国艺术宝库中的这座丰碑绽放更独特的魅力,从而推动我国舞蹈艺术的可持续发展。
简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。