简介：IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件，伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来，IGBT在现代电力电子技术起着核心作用，而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提，本文研究IGBT栅驱动电压，驱动功率和驱动电阻的设计，以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。

简介：球栅阵列技术已经激起了电子行业的人们强烈的兴趣.随着人们的目光愈来愈多地关注于BGA器件的组装的时候,对BGA器件进行组装时所产生的清洗和干燥的问题受到了人们广泛的关注,各种各样的BGA器件和焊膏需要采用合适的清洗处理方法.

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：<正>飞兆半导体公司推出两种新型高性能半桥栅极驱动器IC,为消费电子和工业应用提供良好的系统可靠性和效率。FAN7380和FAN7382采用共模dV/dt噪声消除电路,可提供较好的抗噪性能。这些器件具备先进的电平转换电路,允

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：IBM已将铜柱栅阵列(CuCGA)互连用作为陶瓷柱栅阵列(CCGA)上锡铅焊料柱的无铅替代品(见图1)。像CCGA一样，CuCGA提供一种高可靠性封装解决方案，可以使用具有优良的电性能和热性能的陶瓷芯片载体。取消铅在微电子封装中的应用的行动增加了大尺寸、高I／O封装的制造复杂性。与新型封装互连结构的开发一致的可制造卡组装和返工工艺的开发对于技术的可接收性是至关重要的。设计的铜柱栅阵列(CuCGA)互连可满足可制造性、可靠性和电性能等多方面的要求。可制造性的结构优化重点是在制造处理过程中保证柱的牢固性和具有便捷的卡组装工艺。最终卡上的焊点对于互连的可靠性是至关重要的。互连的几何形状还影响到电性能【1】。评估这些有竞争性因素决定着最后的柱设计【2】。本文重点讨论了CuCGA卡组装和返工工艺的开发和可靠性评估。工艺开发的目的是将成功的SMT组装工艺用于CCGA，以便开发出标准的无铅SMT工艺。将CuCGA组装工艺成功地集成于锡银一铜(SnAgCu，或者SAC)卡组装工艺的开发中，这对于贴装、再流和返修领域都将是一个挑战。本文将讨论通过可靠性评估说明这些工艺的优化和成功结果的实例。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：Intertronics推出了面向单独球栅阵列封装（BGA）构件返工丝网印刷焊膏的新方法一它是完整的球栅阵列封装丝网返工工具包中精确的一次性Flextac丝网。Flextac丝网具有可临时粘贴PCB的粘面，可防止未对准和焊膏拖尾效应。因为Flextac丝网价格便宜，并为一次性产品，它们有助于用户分开使用含铅和无铅焊料，

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。

简介：在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

简介：为确定在再流焊接过程中印制线路板翘曲的程度及其印制线路板翘曲对焊接到板子上的球栅陈列的影响而进行了一项研究。目的之一是确定印制线路翘曲与球栅陈列的开路之间是否有关系。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：西安西整熔断器厂（原名“西安电力整流器厂二分厂”）是“七五”期间由中国西电集团公司立项，经国家计委批准建立的熔断器科研、生产的专业化工厂，隶属于中国西电集团公司，是个具有二十余年生产半导体设备保护用熔断体的专业化工厂，现坐落在国家级西安高新技术产业开发区的现代企业中心。

简介：今年底，诺基亚西门子通信将为欧、亚和北美的十多家大型移动运营商提供全新的LTE硬件设备，从而借助可扩充的扁平架构巩固自己作为LTE领跑者的地位。此次诺西提供的LTE全兼容Flexi基站硬件，标志着GSM／WCDMA／HSPA和CDMA运营商的移动网络向LTE技术演进的一个重要里程碑。

简介：今年第一季度中国有1800万新增移动用户，而且今后几年内还会有2亿新用户加入到GSM网络中，因此从年初开始，中国移动在全国范围内开始将GSM网络进行扩容，并在扩容的同时向EDGE升级。面对GSM的继续扩容、向EDGE升级以及网络今后的演进，诺基亚西门子通信日前发布了一款FlexiGSM基站，并认为这是一项革命性的技术。

简介：1960年，改编自小说《苏西黄的世界》的同名电影在世界各地放映了，女主角苏西黄由关南施饰演，男主角由威廉荷顿（WilliamHolden）饰演。由于小说和电影体现了五六十年代香港的美丽风情，当年在国外掀起一阵香港热，令外国人认识香港。