简介:大国和平崛起,一夜间成为朝野关注的焦点话题。本期第一专题“东亚可以说‘行’”。从第一生产力背景入手。解析大国方略。注意力聚焦于众多“大国崛起”论“遗忘”的一个关键:第一生产力的制高点。才是大国崛起的实力要枢。《东亚可以说“行”》与“中国可以说‘不’”相反,第一次表现出以实力为背景的自信。认为,一个宏大的、自主的和互助的战略理想得以启动,意味着一个互助合作的东亚IT将迅速崛起,成为世界真正的第三极。科技“长缨在手”,东亚可以说“行”。专题摘要披露了1995年秘密发自美国费城的第一份科技万言书《关于中国计算机产业国家政策的建议》、1999年有关人士上书的第二份科技万言书《中国衰落的危险与新的战略选择——建立在美国核心信息技术上的中国图景》,并首次发表了第三份科技万言书《东亚可以说“行”》。反映了生产力前沿人士在大国不同发展阶段的所忧所思。自信的东亚不再说“不”,而说“行”,反而触痛了昔日霸主,诅咒“亚洲国家的这种努力将会以失败告终”。为什么?掩卷之后,值得深思。
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。