简介：功率器件的质量对节能灯的寿命起关键作用，从理论分析入手，对其失效机理进行分析。

简介：设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构（Digitally-ControlledOscillator）,这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronicsCMOS90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。

简介：XOs不采取任何温度补偿或恒温措施，各项技术指标中等水平，主要有输出形式、频率、稳定度三个技术参数。

简介：

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简介：普通晶体振荡器温度稳定特性曲线如同1所示（图中实线），如果在电路中增加一些器件，使它影响频率随温度的变化与原曲线大小相等、方向相反（图中虚线），这样就改善了振荡器的温度稳定度。

简介：VCXOs在振荡电路中加一个变容二极管，通过改变变容二极管两端的电压来改变输出频率。可以在TCXO或OCXO基础上改进电压控制，则可称为TC/VCXO或OC/VCXO。

简介：高功率微波空间功率合成效率直接关系到高功率雷达输出功率的大小，重点研究高功率雷达空间功率合成效率问题。首先推导出高功率微波空间合成效率公式；然后分析了影响合成效率的相位误差、目标位置误差、时延误差和阵元间距误差等因素；最后提出一种幅度一相位联合调整的方法，通过增加幅度调整电路和相位调整电路，减小通道的幅相误差，提高空间功率合成效率。

简介：参与了26年PCIM（功率变换与运动智能控制）会议，离开之前，我（1994-2004年的欧洲PCIM会议董事长编者）愿意与大家共享我的最后一篇文章，它是关于对PCIM的三个领域的认识：功率变换，运动智能控制，电能质量和能源管理，还有未来趋势。

简介：论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势，介绍了SiGe压控振荡器技术。

简介：<正>在高功率的广播发射机、视频发射机以及某些高频、中频高功率设备中,一般要使用高功率电容器。这些高功率电容器中用量最多的为高功率陶瓷电容器,也有一些是真空电容器(固定的或可变的)。高功率陶瓷电容器种类繁多,根据不同的使用要求有高频、低频之分,高频、低频高功率电容器除所用瓷料不同外,在结构、外型尺寸、各种电气指标等有较大区别。高功率电容器在高功率设备中用于槽路的耦合、旁路、馈电、谐振、滤波等

简介：1前言高速开关和现代封装技术要求变革电子产品传统的功率分配方法——电缆线束、铜片总线和印刷电路板上的电源线与地线,期望功率分配线的电感小,电阻低,电容大,占用空间小。图1b给出的迭层结构功率母线(BusBars)已应用于大型计算机系统、通信和航空电子学等的功率分配子系统,新型通用功

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：设计了一种用于D类音频功放的新型扩频振荡器。采用电流控制模式，利用伪随机数字频率调制，使谐波能量更加分散，频谱幅度更小，从而减小D类音频功放的EMI辐射。基于UMC0．6μm30VBCD工艺，对提出的扩频振荡器电路进行仿真验证。结果显示，扩频频率点具有良好的均匀性和随机性，并且D类音频功放的EMI主峰值幅度下降了4dB，其余EMI的峰值幅度下降了大约10dB，扩频降低电磁干扰（EMI）辐射的效果显著。

简介：拥有模拟和数字领域的混合信号半导体解决方案的供应商IDT@公司（IntegratedDeviceTechnology，Inc．）宣布，已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的CrystalFreeTM压电MEMS（pMEMSTM）LVDS／LVPECL振荡器。IDT的新型振荡器可在业界标准封装中以远低于1皮秒的相位抖动运行，

简介：摘要目前，人们逐渐意识到传统能源的储量和污染问题，在这种趋势下环保节能的光伏发电技术得到重视与发展。光伏发电技术中最重要的便是光伏功率预测技术，光伏功率预测对光伏发电控制、性能提高、保障光伏电站平稳运行等方面都起着重要作用。本文主要介绍了光伏功率预测技术的基本原理和关键问题，通过研究分析光伏电站数据对提高光伏预测技术的几点重要问题进行分析。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：1出版信息清华大学蔡宣三教授和北京理工大学龚绍文教授合著的《高频功率电子学》一书已由中国水利水电出版社2009年6月在北京出版。

简介：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要，文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响，比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣，得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制，抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时，FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题，且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要，还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。