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  • 简介:本文以苯并恶嗪树脂与含磷环氧树脂复合作为基体树脂,外加磷酸类阻燃剂,以KH平纹玻璃布作为增强材料,制备了一种新型无卤阻燃覆铜板,该覆铜板的玻璃化转变温度为160℃,加强耐热性PCT(2atm水蒸气处理2小时后,经288℃浸锡)试验达到385秒,径向弯曲强度为630.6MPa,阻燃达到UL94V0级,

  • 标签: 无卤阻燃 覆铜箔板 制备 玻璃化转变温度 含磷环氧树脂 苯并恶嗪树脂
  • 简介:新型锥形挤出技术可为生产带有无卤阻燃(HFFR)材料的接入光缆提供有利条件。最近几年已开发出几种有效的架空接入光缆和室内HFFR光缆,它们的设计一般都含有HFFR材料。业已发现,锥形挤出方法用于这些剪切敏感材料非常优越。对基于不同填充物/阻燃系统的几种材料,已获得良好的结果。

  • 标签: 架空引入 无卤 阻燃 接入光缆 室内 锥形挤出
  • 简介:本文介绍了高阻燃尼龙绝缘屏蔽通信电缆的特点及技术难点,详细阐述了尼龙12绝缘材料的性能和低烟无卤护套材料的优点。阐述了高阻燃尼龙绝缘屏蔽通信电缆的结构设计、电缆的燃烧试验结果分析。

  • 标签: 尼龙12 抗张强度 透光率
  • 简介:本文主要介绍了低烟无卤阻燃色条光缆的研制,包括该产品的护套工艺流程、低烟无卤阻燃护套料的性能、对挤出机的要求、烘干工艺、温度控制、色母料配比、色条缆模具设计等。

  • 标签: 低烟无卤阻燃料 色条光缆 模具设计 色母料
  • 简介:一、简介苯并嗯嗪是由酚、伯胺和甲醛为原料合成的一种苯并六元杂环化合物。与环氧树脂、双马来酰亚胺、酚醛树脂和氰酸酯等传统的高性能基体树脂所存在的这样或那样的不足相比较,苯并恶嗪树脂较好的将优良的成型加工、综合性能和性价比集于一身。该树脂的原料来源广泛,价格低廉,合成工艺简便;其固化反应为开环聚合,无小分子释放,固化收缩小(近似零收缩),易于成型加工,制品孔隙率低、尺寸精度高;固化产物具有较高的Tg和热稳定性,较高的成炭率,优良的阻燃和机械性能,以及低的吸水率。

  • 标签: 阻燃性 印制线路板 苯并恶嗪树脂 六元杂环化合物 基板 无磷
  • 简介:室内光缆在我国的应用刚刚开始,有些相关的生产厂商还没有网络布线的经验,这就导致了布线产品存在着这样或那样的缺陷。这样有可能增加了系统的成本和故障率,还可能留下严重的隐患。随着宽带网如火如荼的建设,光纤正逐步向用户延伸,室内软光缆的使用将逐年得到增加,据统计目前室内光缆所用光纤占光纤总用量的5%左右,专家预测到2010年左右会迅猛增长,最终将占全国光纤总需求量的10%~15%,因此有必要在此就目前室内光缆存在的结构缺陷以及阻燃材料的使用现状及其发展方向进行分析。

  • 标签: 软光缆 结构缺陷 阻燃材料 束状光缆 绞合式光缆
  • 简介:介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3(001)衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁(MgO)衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

  • 标签: 高温超导 超导薄膜 两步法 阳离子置换反应
  • 简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

  • 标签: 金属基板 氮化铝 阳极氧化铝 COB封装
  • 简介:文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

  • 标签: 铁氧体 微带隔离器 薄膜电路 磁控溅射
  • 简介:在中学化学实验教学中,Fe(OH)2的制备参照了人教版高中化学1(必修)第三章第二节《几种重要的金属化合物》教学内容中制备Fe(OH)3的方法。该方法制备出的Fe(OH)2极易被空气氧化,学生难以观察到白色絮状沉淀-Fe(OH)2。本文通过对氢氧化亚铁制备的原演示实验进行了一定的改进,可以让学生观察到比较明显的实验现象。

  • 标签: 氢氧化亚铁 创新 优化 演示实验
  • 简介:介绍了光子晶体的能带结构、制备技术和应用方面的最新的发展,光子晶体的光子能隙有完全能隙和不完全能隙的区分.光子晶体的制备技术大体可分为微电子制备技术、自组装技术和层层叠加技术.同时,通过光子晶体一些应用方面的介绍,揭示了光子晶体的广阔的应用前景.

  • 标签: 光子晶体 能带结构 光子能隙 自组装 微电子 层层叠加
  • 简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。

  • 标签: A1SiC封装材料 管壳 真空压力浸渗 密封环 有限元分析
  • 简介:介绍了近些年一些具有代表的压缩光孤子的实验;通过理论分析,发现这些实验按基本的设计思想可划分为两类,而这两类实验方法归根结底都是利用了光孤子内在的量子特性.

  • 标签: 光孤子 量子通信 压缩态 划分 设计思想 发现
  • 简介:蚀刻废液是PCB生产的主要危险废液,废液中舍有大量铜离子。文章阐述了PCB蚀刻废液回收铜制备铜粉的研究现状,介绍了蚀刻废液回收铜制备铜粉的工艺和方法,对各工艺方法的经济可行和环境影响进行了分析,并对蚀刻废液回收铜制备铜粉技术进行了展望,

  • 标签: 蚀刻废液 回收 铜粉 综述
  • 简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

  • 标签: 电子封装 SICP/CU复合材料 制备 性能
  • 简介:<正>近日,英国曼彻斯特大学物理学与天文学院的安德烈·格伊姆教授和科斯特雅·诺沃塞洛夫博士,在石墨烯基础上开发出一种具有突破的新材料——石墨烷。他们用纯净的石墨烯和氢制备出了一种具有绝缘性能的二维晶体石墨烯衍生物——石墨烷。该方法也同样适用于制备出其他基于石墨烯的超薄材料,这些新型超薄材料具有不同导电性能。相关研究结果发表在1月30日出版的

  • 标签: 石墨烯 二维晶体 英国曼彻斯特 大学物理学 安德烈 科斯特
  • 简介:金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

  • 标签: 金刚石 电子封装材料 膜层 可焊性 散热效果
  • 简介:利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

  • 标签: 紫外线氧化 NiO薄膜 NiO/Si异质结二极管
  • 简介:喷墨打印阻焊剂自研发以来,因树脂油墨剪切变稀和触变性等特点,一直不能有效解决阻焊剂喷墨初始阶段稳定性问题。对此,本研究以BoltornH2O为原料,合戍了一种超支化丙烯酸化合物,在与TMP3EOTA及UV固化剂混合后,可以获得稳定性好的阻焊油墨,在光源照度1w/cm2条件下固化速度低于20S,固化膜的热分解温度超过300℃,阻焊膜的其他性能符合IPC—SM-840C和CPCA4306—2011等相关标准。

  • 标签: 喷墨打印 阻焊剂 超支化树脂 低黏度