简介:介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3(001)衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁(MgO)衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。
简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。
简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.
简介:利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。