简介：使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C：H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C：H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C：H膜微结构及部分性能的影响。结果表明,在α-C：H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象。随着基底温度的升高,α-C：H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C：H膜层性能也逐步退化。
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