简介：本文简单论述了聚酰亚胺薄膜的生产工艺，并重点分析了厚度均匀性对薄膜力学性能、电气性能的影响以及测试和改进方法。

简介：综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.

简介：

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简介：本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。

简介：本文通过二维准连续介质法模拟三角型压头在纳米压痕试验中测量铝薄膜材料断裂韧度的过程，得到了相应的载荷-位移曲线，计算出了铝薄膜在纳米尺度下的断裂韧度（KIC）和相关的力学性能参数。数值结果显示：单晶铝薄膜材料在纳米尺度下的断裂韧度（KIC）为0．216MPa·m^1/2，预测值与相关试验结果较吻合，从而表明使用准连续介质法预测纳米尺度下薄膜材料的断裂韧度是可行的。在研究中发现：对应于载荷-位移曲线的急剧下降区域，相应的位移云纹图中有明显的压痕变形集中现象，表明此处是径向裂纹发生的准确位置。计算结果证明，这种载荷-位移曲线和位移云纹图相结合的方法是计算薄膜材料径向裂纹的有效方法。

简介：文章研究了聚酰亚胺薄膜覆以5μm铜箔的挠性覆铜板的工艺和性能。同时探讨了环氧改性丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)-环氧树脂、丁腈-酚醛-环氧树脂体系的胶粘剂对性能尤其是弯曲疲劳性能的影响，聚酚氧树脂改性环氧树脂胶粘剂显著提高了覆铜板的弯曲疲劳性能；研究了涂胶工艺、胶层厚度、

简介：综述透明导电ZnO薄膜制备技术的发展状况.ZnO薄膜材料具有高稳定、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其柔性村底的应用,有望在太阳能电池领域取代传统使用的ITO膜.

简介：采用鼓包法研究聚丙烯薄膜／不锈钢基底的粘接性能。基于数字散斑相关法，对自由窗口的聚丙烯薄膜受油压发生变形的全场形貌进行测量。实验结果表明：方形窗口薄膜的剥离最先从四边的中心开始，然后扩展到薄膜的4个尖角，变形形貌从方形最后变成圆形。聚丙烯薄膜／不锈钢基底的界面粘接能为（22．60~1．55）J／m2，这个结果和圆形薄膜窗口测量的结果吻合得较好。

简介：宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本，在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。

简介：采用MIP-700多功能离子镀膜机对4Cr14Ni14W2Mo和W9Mo3Cr4V两种不同材料进行TiN镀膜处理工艺研究,并利用WS-2005自动划痕测量仪测量其结合力,试验表明膜层结合力与基体材料的硬度有关。本研究对国内外试验中＂临界载荷＂的定义标准及结合力的判据进行研究分析,定义了当薄膜开始出现破裂、剥落,摩擦因数急剧增大时所对应的法向载荷为试验测定的临界载荷,并以此作为膜层结合的判定指标。建立4Cr14Ni14W2Mo和W9Mo3Cr4V两种不同材料真空离子镀TiN膜结合力的试验方法和膜基结合力临界载荷评价标准。

简介：本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再用H2O2：NH4OH（1：1）溶液冲洗干净，处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明，薄膜厚度达60μm，纯度很高，并且在整个面积上是均匀的。

简介：在经过NaOH-HCl预处理的镍钛合金基体上,采用溶胶-凝胶法制备纳米多孔TiO2薄膜;当涂覆一层致密内膜和一层多孔外膜时,可得到无裂纹的薄膜（试样TC1＋1）。X射线衍射表明,TiO2薄膜由锐钛矿组成,在热处理的基体中还检测到少量的Ni4Ti3相。X射线光电子谱分析表明,试样TC1＋1的TiO2薄膜完全覆盖了镍钛合金基体。试样TC1＋1的表面亲水,接触角约为20°,紫外光照处理15min后接触角降低到（9.2±3.2）°。在0.9%NaCl溶液中的动电位极化实验表明,试样TC1＋1的耐蚀性高于抛光的镍钛合金试样的。

简介：采用化学方法制备直径约100μm的超大尺寸氧化石墨烯,利用Langmuir-Blodgett自组装法将其逐层沉积于基体表面,制备透明导电薄膜。经过高温还原后,平坦、紧密排列结构的石墨烯薄膜具有高导电性及透明度。在86%的透明度下,获得的表面电阻为605-/sq,此光电性质优于用化学气相沉积法在Ni表面生长的薄膜。该方法具有易操作、成本低、便于工业化大规模生产等优势。

简介：CVD金刚石可以用各种方法合成，其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜，并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是，热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径，以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下：(1)随着沉积压力的降低，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流，但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加，金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。

简介：本文介绍Si3N4(代替部分金刚石浓度）配合铁基（以Fe代Co)结合剂氮化金刚石薄膜涂层节块，可大大降低成本，该节块性能良好，有较高使用效果及经济效益。

简介：在60MPa压力，5个不同的烧结温度下将ZnO?聚苯胺?聚乙烯混合粉末压制成复合陶瓷圆片，研究烧结温度的变化对其电物理性能和显微组织的影响。结果显示，烧结温度从30°C升高至120°C，击穿电压从830V降低至610V；继续提高烧结温度，击穿电压反而升高。随着烧结温度的升高，界面电压势垒的变化与击穿电压的变化相反。样品的泄露电流很低，说明材料具有低的降解速率。烧结温度越高，非线性系数变得越小。此外，各样品均有迟滞现象，随烧结温度升高至120°C，电滞回线降低；当温度继续升高时，电滞回线变宽。紫外光谱的结果显示，有3个杂质能级，且随烧结温度的升高而降低。扫描电镜的结果显示，复合材料显微组织中含有晶粒和晶界，晶界的电阻率是影响材料的压敏特性随烧结温度变化的主要因素。

简介：采用Cu／Ni／Cu扩散偶研究强磁场对Ni—Cu系原子扩散行为的影响。发现该扩散偶在有、无强磁场条件下退火处理时，Ni—Cu系原子互扩散过程中的互扩散系数随着互扩散区内Ni原子摩尔分数的增加而增加，并日．在强磁场条件下退火处理后，所有的互扩散系数均小于相应条件下无磁场处理时的互扩散系数。表明强磁场的施加延迟了Ni—Cu系原子的互扩散行为。分析指出，上述强磁场对原子扩散的延迟行为是通过降低互扩散过程中的频率因子而不是互扩散激活能来实现的。

简介：研究Sb元素含量对Sn-Bi系焊料性能的影响。通过差示扫描量热法研究Sn-Bi-Sb焊料的熔化行为。采用铺展实验研究焊料在Cu基板上的润湿性。测试Sn-Bi-Sb/Cu结合界面的力学性能。结果表明：三元合金中含有包共晶反应形成的共晶组织，随着Sb含量的增加，共晶组织增多；在加热速率为5℃/min的条件下，三元合金显示出更高的熔点和更宽的熔程；添加少量Sb对Sb-Bi系焊料的铺展率有影响；在焊料铺展过程中形成反应过渡层，反应过渡层中存在Sb元素而无Bi元素，过渡层厚度随着Sb元素含量的增加而增大。Sn-Bi-Sb焊料的剪切强度随着Sb元素含量的增加而升高。

简介：作为材料的重要性质之一，硬度一直受到人们广泛的重视和研究。Cohen和Liu利用第一性原理计算从理论上预言了一种超硬性能的新材料β—C3N4，其体积弹性模量超过金刚石。CVO3组采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)，用高纯N2(99．999％)和CH4(99．9％)作反应气体，在单晶Si(100)和多晶Pt衬底上沉积碳氮薄膜，开展了对β-C3N4薄膜的制备与表征的探索性研究，取得了一定的进展。