简介：该发明公开了一种零件与模具的熔积成形加工制造方法，属于无模生长制造与再制造领域。其包括如下步骤：S1将待成型工件的三维CAD模型进行分层切片处理，S2获得各个分层切片数控代码，S3根据各个分层切片的数控代码逐层进行熔积成形，采用激光成形工件的精细部分，采用电弧、电子束、电渣焊和埋弧焊中一种或者多种工艺成形工件的厚壁和非精细部分，或者S3采用激光束与气体保护的电弧相复合的热源或者激光束与真空保护的电子束相复合的热源成形，在成形工件的薄壁和精细部分，关停气体保护的电弧或者关停真空保护的电子束。该发明方法可以直接熔积成形获得组织性能稳定、制造精度高的带有薄壁或者精细部分的零件和模具。

简介：该发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法，既能修复失效的轴类零件，又能有效的保护键槽。包括以下步骤：步骤一，对圆轴和键槽进行预处理，所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键，获得表面轮廓一致的待熔覆表面：步骤二，采用半导体激光束，对所述待熔覆表面进行激光熔覆，获得过渡层：步骤三，去除所述过渡层表面氧化物，对所述过渡层进行激光熔覆，获得熔覆层；步骤四，从所述键槽中取出所述铝键。

简介：为提高硼的去除率，研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO2-BaO-CaF2四元渣和熔硅之间的分配系数LB，讨论了四元渣系中CaO/SiO2质量比、BaO和CaF2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明：随着CaO.SiO2渣中BaO和CaF2含量的增大，LB值增大。当CaO/SiO2质量比为1.1:1、BaO和CaF2含量分别为15%和20%时，CaO.SiO2.BaO.CaF2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好，LB达到最大值6.94，并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后，熔硅中硼含量由3.5×10.5降到3.7×10.6，硼的去除率达到89.4%。