简介:通过对以反映多元体系中凝聚相表面,界面上原子-分子层次结构与相互作用的表面能(σs,σx),界面能(σsx)和尺寸效应(R,δσX/δR,δσ/δR)组成的体系表面自由能变化,采用泛函变分法计算和极值条件求解,进行了多元体系界面结合理论的研究,推导出性cosθ方程和界面结合特征(E)方程。这些方程表明,随着尺寸参数R值的降低,cosθ和E值增大,且cosθ>cosθ^∞和E>E^∞,同时θ,αx,αsx等值减小,这些方程为进一步深化研究超硬材料和制品科学与工程中有关机理和工艺,如熔媒途径。这些方程也为探索新型超硬材料及其微晶,超微粉,纳米管等组成较大尺寸新材料和制品,提供计算和实验模拟研究。由于杨氏方程为这些方程的特例,则将会涉及更多的研究与应用领域的进展。
简介:采用液固分离工艺制备高SiC体积分数Al基电子封装壳体(54%SiC,体积分数),借助光学显微镜和扫描电镜分析壳体复合材料中SiC的形态分布及其断口形貌,并测定其物理性能和力学性能。结果表明:SiCp/Al壳体复合材料中Al基体相互连接构成网状,SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。复合材料的密度为2.93g/cm^3,致密度为98.7%,热导率为175W/(·K),热膨胀系数为10.3×10^-6K^-1(25~400℃),抗压强度为496MPa,抗弯强度为404.5MPa。复合材料的主要断裂方式为SiC颗粒的脆性断裂同时伴随着Al基体的韧性断裂,其热导率高于Si/Al合金的,热膨胀系数与芯片材料的相匹配。
简介:AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts
简介:[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.
简介:FiniteElementModelingofHydrostaticExtrusionforMono-CoreSuperconductorBillets;Giantmagnetoresistanceinbulkmetallicmultilayerspreparedbycolddeformation;NumericalSimulationofPowderCompactingProcessesthroughHydrostaticsExtrusion;Studyofhydrostaticextrusionprocesseswithextra-highextrusionratio;TheinfluencebyhydrostaticextrusiononthemicrostructureandextrudabilityoftheIMprocessedhypereutecticAl-Si-Xalloys;