简介：采用直流电弧等离子体法蒸发Mg＋5%TiO2的混合物并将其在空气中钝化,制备粉体Mg-TiO2复合储氢材料。利用电感耦合等离子光谱发生仪（ICP）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）表征粉体复合材料的成分、相组成及形貌。采用压力–成分–温度（PCT）和差示扫描量热仪（DSC）对Mg-TiO2样品的吸放氢性能进行研究。由PCT测量结果可知,Mg-TiO2复合粉体中镁的氢化焓和氢化熵分别为-71.5kJ/mol和-130.1J/（K·mol）,而粉体的氢化激活能为77.2kJ/mol。结果表明,采用电弧等离子体法在超细镁颗粒中加入TiO2催化剂可显著增强镁的吸放氢动力学性能。

简介：研究在AlC13-NaCl熔融盐体系中进行电精炼废旧铝合金回收金属铝。以铝合金为阳极，通过直流电沉积在铜阴极上得到铝涂层。在170＆#176;C、电流密度100mA/cm2下电解4h，得到的沉积物铝的纯度大约为99.7%，电流效率为44%~64%，每千克铝消耗电能3~9kW＆#183;h。探讨阴极电流密度、电解质成分和电解时间及温度等对铝沉积电流效率的影响。结果表明：在AlCl3和NaCl摩尔比为1.3~1.9时，AlCl3和NaCl摩尔比对电流效率的影响很小，升高电解温度有利于提高电流效率；但是延长电解时间或增大电流密度会导致电流效率降低。电流效率的降低主要是由于沉积的铝呈现枝状晶或粉化而易从阴极上脱落到电解质中所致。

简介：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。

简介：建立凝固过程的数学模型来揭示自由晶核的迁移行为。模拟结果表明：在脉冲电流作用下，大多数形成于熔体上表面的晶核将往下迁移并随机分布于Al熔体内部，提供更多的形核质点，进而细化凝固组织晶粒。同时，研究在施加脉冲电流（ECP）时晶核尺寸对晶核分布和细化的影响。小尺寸的晶核同周围熔体一同运动，迁移距离较短；而大尺寸的晶核在脉冲电流作用下以较快的速度相对于周围熔体运动，有利于熔体内部晶粒的细化。该研究有利于加深对脉冲电流细化凝固组织机理的认识。

简介：为了分析单个晶粒变形行为对微成形的影响,将自由表面的晶粒看作单晶体构建晶体塑性模型。基于率相关晶体塑性理论,考虑试样尺寸、初始晶体取向及其分布,分析微圆柱体墩粗变形中尺寸效应机理。结果表明,流动应力随着试样尺寸的减小而明显减小,晶体取向的分布对试样流动应力具有显著影响,并随着塑性变形的进行而减小。由于单晶体的各向异性,在试样表层发生了明显的非均匀变形,这将导致表面粗糙度的增加,小尺寸试样则更加明显。过渡晶粒的存在使得晶粒各向异性对表面形貌的影响减小。模拟结果得到了实验验证,这表明所建立的模型适合于以尺寸依赖性、流动应力分散性和非均匀变形为特点的微成形工艺分析。

简介：本研究利用ANSYS软件建立了20钢小孔平板试样的三维有限元模型，结合力一磁耦合模型，利用间接法顺序耦合方式进行了金属磁记忆力磁效应的数值仿真，分析得出了带孔平板表面磁场强度法向分量出现过零点、切向分量出现峰值，当应力逐渐增大，这种现象越来越明显。本研究还对特征值磁场强度法向分量梯度K值与二维李萨如图作了分析，得出法向分量梯度K值和应力集中具有很强的相关性，二维李萨如图出现封闭区域，该区域的面积与应力大小并非简单的线性关系。

简介：探头提离造成的信号畸变是脉冲涡流检测中主要干扰之一。本研究针对飞机多层铆接结构脉冲涡流检测中的提离效应进行抑制,采用一种基于提离数据库的峰值补偿方法对探头提离效应进行了一定程度的抑制。通过线性阵列探头获取提离补偿后的信号峰值,组成幅值矩阵,实现成像检测。对比探头提离的抑制效果,实验结果表明,该方法能够有效地运用于多层金属结构近表面及深层缺陷的提离检测。

简介：为了明确热HCP马氏体对CoAl和CoNi合金形状记忆效应的作用,研究CoAl和CoNi合金形状记忆效应(SME)与应力诱发马氏体和热HCP马氏体之间的关系。采用原位金相观察合金深冷前后热诱发马氏体的变化,并研究其对应力诱发马氏体和形状记忆效应的影响。结果表明,CoAl和CoNi合金的形状记忆效应都来源于应力诱发HCP马氏体,热马氏体对两者形状记忆效应的贡献都是强化基体。CoAl合金形状记忆效应高于CoNi合金的原因是Al原子对基体更强的固溶强化作用导致CoAl合金基体强度高于CoNi合金强度。

简介：通过建立模型并实际测算城镇化每增长一个百分点引起的污染物产排放变化量,来分析我国城镇化发展的边际环境污染效应。结果显示,我国城镇化发展与环境污染之间的矛盾仍十分突出,1996～2009年期间,城镇化每增长一个百分点带来的城镇生活污水排放量、COD产生量、NH3-N产生量、NOX排放量、CO2排放量、城镇生活垃圾产生量仍呈上升趋势。由于近年来城镇污水处理率明显提升,城镇化每增长一个百分点带来的COD和NH3-N排放量由＂十五＂的增加逐步转为＂十一五＂的减少;由于城镇生活用煤的减少,城镇化每增长一个百分点带来的SO2排放量在＂十五＂、＂十一五＂期间都呈减少趋势。为减少环境污染,我国应选择有中国特色的城镇化发展道路,合理把握城镇化发展速度和节奏,促进城镇与环境协调发展。

简介：通过单向拉伸试验研究镁合金AZ31B的电塑性效应。为了显示脉冲电流的非热效应,在相同温度下开展两类试验：环境箱中的单向拉伸试验和脉冲电流辅助的单向拉伸试验。此外,对脉冲电流在材料变形过程中引起的温度场进行数值模拟。结果表明,沿材料截面方向温度分布均匀。通过对比两类单向拉伸试验的真应力-真应变曲线,证实了脉冲电流非热效应的存在。通过光学显微镜研究脉冲电流对材料微观组织演化的影响,结果表明：脉冲电流引起的动态再结晶对流动应力的下降起重要作用。最后,提出一个考虑电塑性响应的AZ31B流动应力模型,并通过实验进行验证。结果表明：模型预测结果和实验结果吻合较好。

简介：基于建立的新型三维仿真模型，采用分子动力学方法模拟单晶铜（100）表面纳米加工过程，研究材料的去除机理和纳米加工过程中系统的温度分布与演化规律。仿真结果表明：系统的温度分布呈同心型，切屑温度最高，并且在金刚石刀具中存在较大的温度梯度。采用中心对称参数法区分工件中材料缺陷结构的形成与扩展。位错和点缺陷是纳米加工过程中工件内部的主要缺陷结构。工件中的残余缺陷结构对于工件材料的物理属性和已加工表面质量具有重要影响。位错的成核与扩展、缺陷结构的类型均与纳米加工过程中系统的温度有关。加工区域温度升高有利于位错从工件表面释放，使工件内部位错结构进一步分解为点缺陷。采用相对高的加工速度时，工件中残留缺陷结构较少，有利于获得高质量的加工表面。

简介：采用计时电位、SEM、XRD、EIS和Tafel等方法对比研究Pb-Ag-Nd合金在160g/LH2SO4溶液中的脉冲电流极化和恒电流极化过程中的氧化膜和析氧行为。研究结果表明：脉冲电流极化的Pb-Ag-Nd合金表面的氧化膜孔洞更少,膜层更致密。这是由于在脉冲电流极化过程中的低电流阶段析氧反应更缓和,有利于多孔氧化膜的修复,因此低电流阶段可作为氧化膜的＂修复期＂。Pb-Ag-Nd阳极在脉冲电流极化过程中表现出更低的阳极电位,这与脉冲电流极化过程中阳极更小的传荷阻抗和高过电位区间更小的Tafel斜率相对应。更低的阳�

简介：新鲜胶结尾砂充填料浆的流动性取决于它的流变特性,所以理解新鲜料浆的流变性具有重要的意义。此外,料浆的流变性又与料浆中所发生的水泥水化反应进程和温度的发展变化相关。基于此原因,建立数值模型以分析和预测在水化反应和温度耦合作用下充填料浆流变特性的演化规律。在实验室通过试验研究了料浆的流变行为,并将试验结果与模拟结果进行对比来验证模型的有效性。在不同的条件（料浆的初始温度、灰砂比、水灰比）下,利用所建立的模型对水化反应和温度耦合效应下的料浆流变规律进行模拟研究。研究结果有助于更好地理解胶结尾砂充填料浆的流变性。

简介：台光电（2383）的无卤素板产品主要应用在主流的消费性电子产品，包括智能型手机和平板计算机，该产品占据台光电营收60．70％，同时台光电还布局网通、云端产品及服务器。台光电布局已久的厚铜服务器板已打入PCB厂客户。台光电主管指出，由业务部门的回报数据显示，此一新产品在今年下半年将有重要销售效应出现。

简介：为了揭示冷却速度对铝硅合金中β相的大小及分布的影响,研究其凝固过程中的自退火效应,设计了一套实验装置并进行实验。对铝硅合金试样的不同壁厚部位中的β相特征进行研究。研究发现,其颗粒的尺寸分布符合对数正态分布。为了研究不同壁厚处以及不同冷却条件下的性能,还进行了布氏硬度实验。实验表明,试样在水中冷却时其硬度比在空气中冷却时更均匀,并且其平均硬度更高。