简介：作为新兴的战略性产业，集成电路在今年两会期间受到了极大的关注，并引发了很大的讨论。面对国家的扶持以及各项利好政策，集成电路产业的变革就在眼前，并将进入全新的发展阶段。
简介：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。
简介：
简介：2014年4月29日,＂中国电子材料行业协会理化分析联合实验室成立暨第一次工作会议＂在天津市46所召开。会议由行业协会技术经济部主任鲁瑾主持,参加会议的有工信部原材料司高云虎副司长及蔚力兵、科技司质量处冯冠霖博士,电子材料行业协会秘书长何耀洪,副秘书长朱黎辉,四十六所所长潘林及第一批联合实验室成员代表参加了会议。
我国集成电路产业进入全新的发展阶段
PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位
金市场数据
银市场数据
铂族金属市场数据
中电材协组建全行业共享的理化分析联合实验室
