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67 个结果
  • 简介:StableoperatingregionintheHL-1Mtokamakhasbeenextendedbymeansofwallconditioning,corefuellingandcurrentcontroltechniques.Themechanismsoftheextensionareanalyzedinthispaper.Lithiumizationdiminishestheimpuritiesandhydrogenrecyclingtothelowestlevel.Afterlithiumizationahighdensityupto7×1019m-3wasobtainedeasilybystronggaspuffingwithordinaryohmicdischargealone.MoreattractivelywefoundthatmetalLi-coatingexhibitedtheeffectsofwallstabilization.Thelowqalimitwithhigherdensitywasextendedbyafactorof1.5~2incomparisonwiththatforboronization,and1.2forsiliconization.Siliconizationnotonlyextendedstableoperatingregionsignificantlybyitself,butalsoprovidedagoodtargetplasmaforotherexperimentsofraisingdensitylimit.Corefuellingschemesarefavourableespeciallyforsiliconizedwallwithahigherlevelofmedium-Zimpurity(Z=14).Aftersiliconizationthemaximumdensitynearto1020m-3wasachievedbyacombinationofsupersonicmoleculebeaminjectionandmultipelletinjection.ThenewdefinedslopeofHugilllimitillustratingmoreclearlythesituationunderlowqaandhighnedischargeswascreatedtoindicatethenewregionextendedbycombiningIpramp-upwithcorefuelling.TheslopewithalargeMurakamicoefficientincreasedbyafactorof50~60%.

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  • 简介:Vacuumtreatmentandion-beambombardmentaretwomajorprocessesinthelowenergyion-beamimplantation.Toaccuratelystudythecontributionsofthesetwomajorfactorstothebioeffectsseparately,theM_1generationvariationofArabidopsisthalianawithion-beamimplantationandvacuumtreatmentwerecomparedthroughaseriesofkeyplantdevelopmentparametersincludingmorphologicalobservation,biochemicalassayandRAPD(randomamplifiedpolymorphicDNA)analysis.Theresultsshowedthation-beamimplantationhadobviouseffectonalmostalloftheseparameters,andthevacuumtreatmenthadsomeimpactsonseveralmorphologicalparameterssuchastheboltingtimeandthelengthoftheprimarystem.Takingtheresultstogether,theindicationisthatvacuumtreatmenthassomeslightcontributionstothebioeffectsofion-beamimplantationwhileion-beambombardmentitselfisthemajorcreatorofthebioeffects.

  • 标签: 离子束 真空 主要因子 等离子物理 DNA 参量
  • 简介:用同步辐射角分辨偏上光电子谱对K/Ru(101^-0)表面上吸附的CO分子轨道的对称性测量发现:结合能在11.2eV的CO-4α14σ)分子轨道对s偏振光(在沿<12^-10>的入射面)是禁戒的。结果表明由于K的强烈影响,CO的分子轨道重新排列(sp^2杂化)。根据选择定则和分子轨道的对称性说明,sp^2再杂化的CO分子吸附的桥位取向是<12^-10>晶向。

  • 标签: K/Ru(101^-0)表面 4α1轨道 对称性 CO 分子轨道 偏振光电子谱
  • 简介:采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB)晶体中的生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在的缺陷。NGAB晶体中的孪晶为180°旋转孪晶,操作轴为[0001]轴,即结构的三次对称轴,该孪晶以结构因子的衬度出现在X射线形貌像中:而YbYAB晶体中的孪晶则为反演孪晶,主晶与孪晶的结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸的衬底,而仅出现界面的运动学衬度。

  • 标签: NdxY1-xAl3(BO3)4 生长缺陷 晶体缺陷 激光晶体 同步辐射白光形貌术 化学腐蚀法
  • 简介:目前,北京同步辐射装置4W1A束线的双晶单色器存在着调节困难、单色光出口不固定等问题,本文对其中原因进行了讨论,并提出一种新型结构的双晶单色器。此单色器具有调节简单、波长切换方便等优点,并实现了单色光固定出口。从而能够大大缩短调光时间,提高4W1A束线专用光的用光效率。

  • 标签: 北京同步辐射装置 4W1A束线 双晶单色器 用光效率
  • 简介:InthedischargeofEASTtokamak,itisobservedthat(2,1)neoclassicaltearingmode(NTM)istriggeredbymodecouplingwitha(1,1)internalmode.Usingsingularvaluedecomposition(SVD)methodforsoftX-rayemissionandforelectroncyclotronemission(ECE),thecouplingspatialstructuresandcouplingprocessbetweenthesetwomodesareanalyzedindetail.TheresultsofSVDforECErevealthatthephasedifferencebetweenthesetwomodesequalstozero.Thisisconsistentwiththeperfectcouplingcondition.Finally,performingstatisticalanalysisofγ1/11/1andω2/1,wefindthatγ1/1moreaccuratelyrepresentsthecouplingstrengththanζ1/1,andγ1/1isalsostronglyrelatedtothe(2,1)NTMtriggering,whereγ1/1isthewidthof(1,1)internalmode,ζ1/1istheperturbedamplitudeof(1,1)internalmode,andω2/1denotesthemagneticislandwidthof(2,1)NTM.

  • 标签: 模式耦合 托卡马克 EAST NTM 结构要素 新经典撕裂模
  • 简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:本文利用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)的方法对重闪烁体PbWO4微晶进行了研究。通过测量Pb和W的L吸收边的EXAFS谱,主要研究了PbWO4中Pb^2+和W^6+的近邻结构。结果表明,W周围氧离子的配位数和键长没有显著变化,而Pb周围氧配位数和分布则有改变,说明其中可能有间隙氧存在。同时也简要讨论了间隙氧对PbWO4发光的影响。

  • 标签: 重闪烁体 PBWO4 EXAFS 间隙氧 发光 配位数
  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体