简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上的3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造的。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统,系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础的,PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。
简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。