简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。
简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:利用电子衍射,X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB0O16(Ln=La,Y)的结构特性,LnBaB9O16为单斜晶系,其中LaBaB9O16的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°,荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y^3+在YBaB9O16结构中处于中心对称格位,而LaBaB9O16中La^3+的格位则无中心对称性,Gd^3+部分取代LaBaB9O16:Eu^3+中的La^3+可改善Eu^3+离子的发光性质,LaBaB9O16:Eu^3+在真空紫外区的吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关。