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248 个结果
  • 简介:同步辐射X射线(白光)微束激发晶态物质和非晶态物质,其中晶态物质衍射线将严重影响元素X射线能谱分析,其最有效解决办法是采用同步辐射单色光激发样品,或在样品Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用影响。

  • 标签: 晶态物质 同步辐照 X射线荧光分析
  • 简介:考察了锆助剂含量对钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散硅胶表面,而钴以一定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,而钴分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长3C-SiC/Si(001)中孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶6H(HHexagonal缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC{111}极图在x=15.8°出现了新衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002Mapping分析了x=15.8°处产生衍射3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:以超临界CO2溶胀剂所制备PET/PS共混物小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物结构参数与共混物组成及热历史密切相关。按Vonk一维电子密度相关函数法,得到共混物结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高本质原因。

  • 标签: 超临界流体 相区尺寸 超临界CO2 PET PS 共混
  • 简介:利用扩展X射线吸收精细结构技术对用化学共沉淀法制备非晶和纳米ZrO2·15%Y2O3体系进行了研究。分析结果显示,在从非晶态向纳米结构晶化过程中,最近邻Zr-0配位层配位数和键长没有发生明显改变,说明300℃温度处理样品已经形成900℃温度处理相同最近邻局域结构。而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大无序。这些结果表明晶粒尺寸变化对于较远配位层影响要比对最近邻影响大得多。

  • 标签: ZrO2 Y2O3 EXAFS 晶化 配位数 键长
  • 简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑照片及定量信息,如发现铁电畴明区要高于暗区,且两者粗糙度明显不同。这研究各种晶体生长缺陷开辟了一条新途径。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 原子力显微镜 同步辐射X射线形貌像 铁电畴 位错 激光倍频材料
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量钴钼超细粒子氧化物,将其K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴氧化态样品,主要以颗粒度较大MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种形式存在,当钴含量增加,CoMoO3晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴添加,有利于样品硫化。活性测试表明,钴加入,明显促进含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量
  • 简介:不同退火温度处理后纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后,NiB和NiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中Ni原子周围局域结构金属Ni箔几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P影响,生成晶态Ni结构有较大畸变,结构金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤和岩石标准参考物质、泰兵马俑和江西洪州窑古瓷中元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中元素谱能提高实验数据重复性,在古陶瓷元素谱无损分析中,现有标准参考物质可以用于部分元素含量标定和分析质量控制。

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 产地 年代特征 SRXRF分析方法学 同步辐射X荧光
  • 简介:用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理,腹腔注射CdCl2注射后用新型络合剂促排三组Wistar大鼠肾切片。结果表明Cd主要分布在肾皮质部分,而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间关系;在正常鼠肾中,元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se一类,它们在肾中分布有较强共位性,处于平均状态;急性中毒,CdSe距离最近。有较强相互作用。其次是Ca,此时元素分类不明显,平衡被打乱;中毒后用新药促排Se和Zn强相关并聚一类,其它元素间相关性变弱,元素基本上又趋于分为两类。

  • 标签: 微量元素 多元统计分析 同步辐射微束扫描分析 元素位置分布 肾损伤 急性镉中毒
  • 简介:应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶孔隙结构,发现了散射曲线对Debye散射理论遵守正、负偏离三种情况。分别应用Debye法和Guinier法(逐级切线法和多级斜线法)计算了SiO2干凝胶中微孔平均孔径,结果表明这几种方法计算值不仅在遵守Debye散射理论情况下比较接近,而且在偏离(正和负)Debye散射理论情况下也取得了较好一致性。

  • 标签: 小角X射线散射 测定 SAXS Debye散射理论 二氧化硅干凝胶 平均孔径
  • 简介:提出了当多孔体系小角X射线散射不遵守Porod定理情况下,应用Debye法(相关函数法)和Guinier法(逐级切线法和多级斜线法)计算它们平均孔径方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝测试,取得了比较一致结果,并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

  • 标签: 测定 小角X射线散射 二氧化硅干凝胶 平均孔径 相关函数法 Debye法
  • 简介:采用金刚石对顶压砧高压装置(DAC)、同步辐射X光源和能散法,对CsBr粉末样品进行了原位高压X光衍射实验,最高压力115GPa。观测到在53GPa左右压力下,CsBr最强衍射峰(110)劈裂成两个峰,标志简单立方结构向四方结构转变;在0至最高压力范围内(相应于V/V01至0.463)测量了晶轴比c/a;在115GPa内未观测到样品金属化现象。

  • 标签: 结构 相变 CsBr 同步辐射 X射线衍射 溴化铯
  • 简介:本文描述了GdB5O9、NaGdF4合成结构以及NaGdF4在高温下相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系,其空间群:I4l/acd,晶胞参数:α=8.23813。c=33.6377。六方和立方NaGdF4分别NaEuF4和CaF2同构。本文还考察了GdB5O9:Eu、六方NaGdF4:Eu、立方NaGdF4:Eu样品真空紫外(VUV)荧光性质.上述三种样品中Gd3+4f-5d跃迁及基质吸收位于真空紫外波段。

  • 标签: 稀土硼酸盐 氟化物 结构 VUV荧光性质 粉末衍射 晶胞