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  • 简介:同步辐射软X射线(白光)对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示,样品表面电子态变化明显,P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。

  • 标签: 软X射线 INP 表面微结构 磷化铟 半导体 电离损伤
  • 简介:本文测定了在高压条件两种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位x-光衍射光说。结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响。随着压力的增加,8-羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降,到7GPa左右时几乎为零。而8-羟基喹啉锌的发光随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时常压的10%。高压下的原位x-光衍射结果表明8-羟基喹啉钙的晶体在3-4GPa开始发生非晶化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x-光衍射完全消失。而8-羟基喹啉锌在压力的作用(至16GPa)没有发生明显的相变。

  • 标签: 高压条件 金属8-羟喹啉络合物 发光行为 晶体结构