简介：以γ射线辐照硫代硫酸钠和硫酸镍的混合水溶液，所得沉淀物经乙醇多次清洗后60℃下烘干。将所得粉末样品分别在氩气氛中160－500℃焙烧4h，使用X射线衍射（XRD）及扩展X光吸收精细结构（EXAFS）分析样品的结构。结果表明，160℃以下烘干所得样品为纳米非晶，其Ni-S壳层为四配位结构，Ni-S键长为0.221nm。经300℃焙烧后，非晶转为NiS微晶，Ni-S壳层变为八面体六配位（红镍矿型）结构，Ni-S键长增加至0.238nm。进一步提高焙烧温度时，所形成NiS晶粒逐渐长大。对经500℃焙烧样品，X射线衍射检测到很尖锐的对应单一NiS物种的衍射峰。

简介：采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa)，纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

简介：采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm）的纳米晶BaTiO3(48nm）进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa），纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

简介：

简介：本文用EXAFS方法研究了Fe85Zr9B6和Fe84Zr9B6Cul合金退火过程中Fe和Zr原子近邻配位结构的变化。表明在823K以下整个退火过程中Zr原子始终存在于非晶相中，没有进入晶化相。晶化相为bccα－Fe。Cu的加入降低了晶化温度。

简介：利用扩展X射线吸收精细结构技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2·15％Y2O3体系进行了研究。分析结果显示，在从非晶态向纳米结构晶化的过程中，最近邻的Zr-0配位层的配位数和键长没有发生明显的改变，说明300℃温度处理的样品已经形成的900℃温度处理相同的最近邻局域结构。而对于Zr-Zr（Y）配位层，随着晶粒尺寸的减小，配位数明显降低，键长显著缩短，具有比Zr-O配位层更大的无序。这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多。

简介：实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶和其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力（主要是热应力），化学配比的偏离和杂质的非均匀分布是液封直接（LEC）InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉（LEC）InP(111）面上的孪晶。本文中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据和如何得到无孪晶液封直接（LEC）InP单晶。

简介：采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置，对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27．1－29．5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰，对该实验现象进行了讨论。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：同步辐射X射线（白光）微束激发晶态物质和非晶态物质时，其中晶态物质的衍射线将严重影响元素的X射线能谱分析，其最有效的解决办法是采用同步辐射单色光激发样品，或在样品与Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用的影响。

简介：

简介：本文采用溶胶-凝胶法，获得了铁掺杂的纳米TiO2样品，XRD和透射电镜测量表明在600℃以下焙烧时为锐钛矿，颗粒度在10nm以下，样品在1000℃下焙烧时，转变为金红石相，颖粒度增大。EXAPS和穆谱表明，铁的确掺杂到TiO2晶格内，表现为3价。铁的掺杂改变了纯的TiO2的性质，对于锐铁矿相的掺铁纳米TiO2，其紫外-可见反射光谱给出在481nm处出观了新的吸收峰，；对于以金红石相为主的掺铁纳米TiO2，其紫外-可见反射光谱在512nm处出现了新的吸收峰。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：

简介：

简介：利用溶胶法制备出不同粒度的聚乙烯醇(PVA)包覆下的硫化亚铁(FeS)纳米颗粒，探讨反应物浓度对产物的影响。对FeS进行了物性表征，同时进行了高压衍射相变的研究。

简介：用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术，对碳纳米管进行了结构和物性的研究，压力达50．7GPa。在室温常压下，碳纳米管的结构和石墨的hcp结构相似，其（002)衍射线的面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线的面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到，当压力升到8GPa以上，（002）线变宽变弱，碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零，（002）线部分恢复。但当压力升至最高压力50．7GPa时，碳纳米管完全非晶化，而且这个非晶化相变是不可逆的。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据，得到体弹模量为K0＝54．3±3．2GPa（当K’0＝4．0时）。

简介：用蒸发／冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜，用广延X射线吸收精细结构（EXAFS）和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比，虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩，但其配位数减少，结构无序性增加。同时，讨论了制备条件对其微结构的影响。

简介：不同退火温度处理后的纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD的结果表明，在300℃温度退火后，纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态；纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后，NiB和NiP样品都晶化为金属Ni，但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同，而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响，生成的晶态Ni的结构有较大的畸变，结构与金属Ni相差很大。

简介：本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。