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155 个结果
  • 简介:采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰,对该实验现象进行了讨论。

  • 标签: 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
  • 简介:新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作,给出了的探测器结构设计,工作原理,实验结果及讨论。

  • 标签: XAFS实验 探测器 同步辐射 硅P-N结光电超二极管 结构设计 工作原理
  • 简介:本文首次利用异常衍射精细结构谱(DAFS)分析技术对多层膜中的NiFe和Cu的精细结构进行了分析。从DAFS谱中,我们提取出Ni和Cu的精细结构谱,从而可以单独研究多层膜中NiFe和Cu的精细结构。与荧光EXAFS谱的比较表明,两种方法得到的谱线完全一致。该技术为研究超薄多层膜的精细结构提供一种强有力的工具。

  • 标签: DAFS NiFe/Cu多层膜 结构 超薄金属多层膜 异常衍射精细结构谱
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶体 BATIO3 同步辐射 X射线衍射
  • 简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶 BATIO3 RAMAN散射 同步辐射 高压X射线衍射 钛酸钡
  • 简介:本文利用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)的方法对重闪烁体PbWO4微晶进行了研究。通过测量Pb和W的L吸收边的EXAFS谱,主要研究了PbWO4中Pb^2+和W^6+的近邻结构。结果表明,W周围氧离子的配位数和键长没有显著变化,而Pb周围氧配位数和分布则有改变,说明其中可能有间隙氧存在。同时也简要讨论了间隙氧对PbWO4发光的影响。

  • 标签: 重闪烁体 PBWO4 EXAFS 间隙氧 发光 配位数
  • 简介:红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心的(001)和(010)结晶学平面观察到生长带,生长方向平行于(100)和(010)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 金刚石 晶体缺陷 形貌 结构缺陷 同步辐射 红外吸收光谱
  • 简介:用不同束斑的SRXRF微不,对1个土壤成分分析标准物质和1个岩石成分分析标准物质进行了多点测量,通过样品缓慢移动,在2个土壤成分分析标准物质和2个岩名成分分析标准物质上分别选取2—3个高度为5mm的小区,进行扫描测量。结果表明,不论SRXRF微束束斑大小,标准参考物的均匀性都不是很好;在目前没有微束分析用的标准参考物的情况下,采用多区域扫描测量的方法,现有的标准参考物作质量控制是可行的。

  • 标签: 标淮参考物 均匀性 SRXRF 同步辐射x射线荧光微束 x-射线荧光分祈
  • 简介:软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过马赫-詹德干涉仪完成的,是测量驱动激光临界面附近等离子体状态的重要方法。本文基于软X射线多层膜的性能特点,指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好,分束镜的设计应以其反射率和透过率的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13.9nm软X射线激光干涉测量所需的分束镜,实测表明其面形精度达到纳米量级,反射率和透过率乘积大于1.6%。

  • 标签: 软X射线干涉测量 分束镜 激光 多层膜 等离子体 入射角
  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体